Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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54<br />
Kapitel 3 Laterale Superjunction‐Leistungstransistoren<br />
_________________________________________________________________________________________________________________<br />
Tabelle 3.1: Optimale Dotierungskonzentrationen für gleichförmige SJ‐Struktur.<br />
Dotierkonzentration [cm -3 ]<br />
10 20<br />
10 19<br />
10 18<br />
10 17<br />
10 16<br />
10 15<br />
10 14<br />
Schicht<br />
Dotierniveau<br />
[cm ‐3 ]<br />
Z = 0 µm<br />
Z = ±5 µm<br />
n‐Driftzone<br />
2,3 ⋅ 10 15<br />
10<br />
0 10 20 30 40 50<br />
13<br />
Laterale Position X [µm]<br />
Y = 0,4 µm<br />
(a)<br />
p‐Säule<br />
8,6 ⋅ 10 15<br />
Dotierkonzentration [cm -3 ]<br />
1,0x10 16<br />
8,0x10 15<br />
6,0x10 15<br />
4,0x10 15<br />
2,0x10 15<br />
p‐Substrat<br />
1 ⋅ 10 14<br />
p‐Basis<br />
≈ 1 ⋅ 10 17<br />
0,0<br />
0 5 10 15 20 25 30<br />
Vertikale Position Y [µm]<br />
(b) (c)<br />
Z = 0 µm<br />
X = 25 µm<br />
X = 46 µm<br />
Abbildung 3.19: Nettodotierungsprofil (|ND-NA|) des gleichförmigen SJ‐LDMOS‐<br />
Transistors; (a) Koordinatenangabe (b) Entlang <strong>der</strong> <strong>lateralen</strong><br />
Schnittlinien Z = 0 µm und Z = ±5 µm bei Y = 0,4 µm (c) Entlang<br />
<strong>der</strong> vertikalen Schnittlinien X = 25 µm und X = 46 µm bei Z = 0<br />
µm.
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