Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

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Kapitel 3 Laterale Superjunction‐Leistungstransistoren
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b = 10 µ m
l s = 7,5 µ m
L D = 43 µ m
(a)
(b) (c)
Abbildung 3.18: Aufbau und Struktur des SJ‐LDMOS‐Transistors mit gleichförmi‐
gen eingebetteten p‐Säulen (Gleichförmiger SJ‐LDMOS‐Tran‐
sistor). Abmessungen: L = 50 µm, LD = 43 µm, d = 15 µm und b = 10
µm (optimale Zellengeometrie);
(a) Geometrische Anordnung von parallel liegenden Transistorzellen in der
Aufsicht.
(b) 3D‐Darstellung mit Angaben zum verwendeten Koordinatensystem.
(c) Querschnitt aus der Zellstruktur mit Gatefeldplatte.