Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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Kapitel 3 Laterale Superjunction‐Leistungstransistoren<br />
43<br />
_________________________________________________________________________________________________________________<br />
2 2 ⋅U<br />
( BR) DSS<br />
DS ( on)<br />
⋅ =<br />
3 µ n⋅εSi⋅Ekrit R A<br />
(3.10)<br />
Abgeschätzt wird dieses Ergebnis entsprechend dem Anhang A.2 mit folgen<strong>der</strong><br />
Gleichung<br />
RDS<br />
( on)<br />
⋅ A<br />
= 2,<br />
46 ⋅10<br />
2<br />
Ω ⋅ cm<br />
p +<br />
−1<br />
12<br />
−9 ⎛ d ⎞ ⎛ ( BR)<br />
DSS<br />
⋅ ⎜ ⎟<br />
⎝ cm ⎠<br />
U<br />
⋅ ⎜<br />
⎝<br />
V<br />
⎞<br />
⎟<br />
⎠<br />
179 72<br />
U = 0 E krit<br />
U = UBR1 p +<br />
n-Driftzone<br />
p-Substrat<br />
L D<br />
L D<br />
(a)<br />
U = 0 U = U BR2 > U BR1<br />
n-Driftzone<br />
p-Substrat<br />
(b)<br />
d 1<br />
n +<br />
d 2 < d 1<br />
n +<br />
E krit<br />
(3.11)<br />
Abbildung 3.11: Raumladungszone und elektrische Feldverteilung für zwei<br />
RESURF‐Diodenstrukturen (Gestrichelte Linien zeigen die<br />
Grenze <strong>der</strong> Raumladungszone an); (a) Tiefe n‐Driftzone d1 mit<br />
niedriger Durchbruchspannung UBR1 (b) Flache n‐Driftzone d2<br />
mit hoher Durchbruchspannung UBR2.
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