Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

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Kapitel 3 Laterale Superjunction‐Leistungstransistoren
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Chipoberfläche bleibt allerdings das Siliziuminnere unterhalb der Transistorstruktur
völlig ungenutzt. Dieser Nachteil führte in der Leistungselektronik zur Einführung
des Vertikalkonzepts für Leistungs‐MOSFETs. Bei Vertikaltransistoren wird die
Großflächigkeit erreicht durch die Verlagerung der Drainelektrode auf die Unterseite
des Chip, dadurch erfolgt der Elektronenstromfluss senkrecht zur Chipoberfläche in
das Siliziumvolumen der Vertikaltransistoren hinein, wie in Abb. 3.1(b) ersichtlich
ist.
Source Gate
Drain
n + n +
p-Basis
Source
n
p-Substrat
n +
(a)
n + n +
p-Basis
n
Gate
Drain
(b)
p-Basis
Abbildung 3.1: Elektronenstromfluss in (a) einem lateralen Leistungs‐MOSFET und
in (b) einem vertikalen Leistungs‐MOSFET.