Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

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Kapitel 2 Grundlagen der numerischen Modellierung
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mit dem temperaturabhängigen Faktor γ
0,
84
γ =
(2.45)
⎛ 0,
063eV
⎞
tanh⎜
⎟
⎝ 2kT
⎠
Als Antriebskraft für die Stoßionisation dient wiederum die in Richtung des Träger‐
stromes projizierte Feldstärke E || nach Gl. (2.31) und (2.34). Messungen nach
Overstraeten und de Man [OM70] haben die Faktoren ai und bi ergeben, die in Tabelle
2.2 aufgestellt sind.
Tabelle 2.2: Gemessene Werte der Stoßionisationskoeffizienten für das Modell von
Chynoweth.
Formelzeichen
ai
bi
Elektronen
7,03⋅10 5
7,03⋅10 5
1,231⋅10 6
1,231⋅10 6
Löcher
1,582⋅10 6
6,71⋅10 5
2,036⋅10 6
1,693⋅10 6
Zulässiger Feld‐
bereich
1,75⋅10 5 < E < 4⋅10 5
4,5⋅10 5 < E < 6⋅10 5
1,75⋅10 5 < E < 4⋅10 5
4,5⋅10 5 < E < 6⋅10 5
Einheit
cm ‐1
Vcm ‐1