Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

Kapitel 2 Grundlagen der numerischen Modellierung
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Driftgeschwindigkeit [cm/s]
10 8
10 7
10 6
10 2
10 5
Elektronen
Löcher
10 3
10 4
10 5
Elektrisches Feld [V/cm]
10 6
Beweglichkeit [cm 2 V -1 s -1 ]
10 4
10 3
10 2
10 2
10 1
Elektronen
Löcher
10 3
10 4
T = 300 K
10 5
Elektrisches Feld [V/cm]
(a) (b)
Abbildung 2.2: (a) Driftgeschwindigkeit und (b) Beweglichkeit als Funktion der
elektrischen Feldstärke.
Für das Canali‐Modell gilt die Temperaturabhängigkeit der Sättigungsgeschwindig‐
keit (Abb. 2.3)
v , n
0,
87
7⎛
300K
⎞
1, 07 ⋅10
⎜ ⎟
⎝ T ⎠
Sat =
cm/s (2.35)
v , p
0,
52
6⎛
300K
⎞
8, 37 ⋅10
⎜ ⎟
⎝ T ⎠
Sat =
cm/s (2.36)
Sättigungsgeschwindigkeit
[10 7 cm/s]
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
Elektronen
Löcher
0,5
100 150 200 250 300 350 400 450 500
Temperatur [K]
Abbildung 2.3: Sättigungsgeschwindigkeit der Elektronen bzw. Löcher in Silizium
als Funktion der Temperatur.
10 6