Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

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186 Notationsverzeichnis _________________________________________________________________________________________________________________ n U FB Flachbandspannung des n + ‐Gate/n‐Substrat‐Systems p U FB Flachbandspannung des n + ‐Gate/p‐Substrat‐Systems UG Gate‐Steuerspannung UGS Gate‐Source‐Spannung U′ GS Gate‐Source‐Spannung bei der Drainstromsättigung UGS(TH) Einsatzspannung UL Induzierte Spannung Urm Spitzenwert der Diodenspannung UR Sperrspannung der Rückwärtsdiode vDrift Driftgeschwindigkeit vn Driftgeschwindigkeit von Elektronen vp Driftgeschwindigkeit von Löchern vSat,n Sättigungsgeschwindigkeit von Elektronen vSat,p Sättigungsgeschwindigkeit von Löchern wM Halbe Weite des neutralen n ‐ ‐Gebietes W Weite der Raumladungszone yD Eindringtiefe der Raumladungszone in der Driftzone Zth Transiente Wärmeimpedanz α Stoßionisationskoeffizient αR Temperaturkoeffizient des Durchlasswiderstandes β Temperaturabhängiger Faktor der Hochfeldbeweglichkeit γ Temperaturabhängiger Faktor der Stoßionisationskoeffizienten Θ Fitparameter der Beweglichkeitsdegradation κ Wärmeleitfähigkeit λ Thermische Oberflächenleitfähigkeit µac Beweglichkeit infolge akustischer Phononenstreuung an der Grenzfläche µb Beweglichkeit im Volumenanteil µn Mittlere Beweglichkeit der Elektronen µp Mittlere Beweglichkeit der Löcher µ0 Niederfeldbeweglichkeit der Elektronen µsr Beweglichkeit aufgrund der Streuungen durch Oberflächenrauhigkeit ρs Spezifischer Säulenwiderstand τG Gate‐Zeitkonstante τn Effektive Elektronen‐Lebensdauer τn0 Empirische Konstante für Elektronen‐Lebensdauer τM Ladungsträgerlebensdauer im neutralen n ‐ ‐Gebiet τp Effektive Löcher‐Lebensdauer τp0 Empirische Konstante für Löcher‐Lebensdauer ΦMS Austrittsarbeit Metall/intrinsicher Halbleiter n Φ MS Austrittsarbeit n + ‐Gatepoly/n‐Silizium p Φ MS Austrittsarbeit n + ‐Gatepoly/p‐Silizium
Notationsverzeichnis 187 _________________________________________________________________________________________________________________ ϕ n Elektrostatisches Potential der Elektronen Φn Quasi‐Fermi‐Potential der Elektronen Φp Quasi‐Fermi‐Potential der Löcher ϕ p Elektrostatisches Potential der Löcher ψ Elektrostatisches Potential ψB Bulk‐Fermi‐Potential ψox Elektrostatisches Potential im Oxid ψS,AKK Elektrostatisches Oberflächenpotential in Akkumulation ψS,INV Elektrostatisches Oberflächenpotential in starker Inversion ψSi Elektrostatisches Potential in Silizium Abkürzungen DMOS Double Diffused MOS DRS Diode Recovery Stress FET Field Effect Transistor FOM Figure of Merit LDMOS Lateral Double Diffused MOS MOS Metal‐Oxide‐Semiconductor MOSFET Metal‐Oxide‐Semiconductor FET RESURF Reduced Surface Field SJ Superjunction SOA Safe Operating Area SOI Silicon on Insulator TRAPATT Trapped Plasma Avalanche Triggered Transit UIS Unclamped Inductive Switching
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Lehrstuhl für Technische Elektroph
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Danksagung Die vorliegende Arbeit e
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4 STATISCHES VERHALTEN VON SJ‐LDM
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2 Kapitel 1 Einleitung ____________
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4 Kapitel 1 Einleitung ____________
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6 Kapitel 2 Grundlagen der numerisc
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8 Kapitel 2 Grundlagen der numerisc
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30 Kapitel 3 Laterale Superjunction
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Kapitel 3 Laterale Superjunction‐
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60 Kapitel 4 Statisches Verhalten v
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Seite 175 und 176: Anhang C Zylindrischer Durchbruch I
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Seite 183 und 184: Literaturverzeichnis 175 __________
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Seite 193: Notationsverzeichnis 185 __________
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