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Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

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184 Notationsverzeichnis<br />

_________________________________________________________________________________________________________________<br />

NK Kanaldotierungskonzentration<br />

Nmax Maximalkonzentration<br />

ref<br />

N n<br />

Materialabhängige Dotierungskonstante für Elektronen<br />

N0 Fitdotierung<br />

ref<br />

N p<br />

Materialabhängige Dotierungskonstante für Löcher<br />

NS Substratkonzentration<br />

NV Effektive Zustandsdichte des Valenzbandes<br />

RESURF<br />

N� Optimale Dosis bei einer RESURF‐Struktur<br />

∆NA Kompensationsgrad bezüglich Akzeptoren<br />

∆ND Kompensationsgrad bezüglich Donatoren<br />

n Konzentration <strong>der</strong> frei beweglichen Elektronen<br />

ni Intrinsische Ladungsdichte des Eigenhalbleiters<br />

ni,eff<br />

n<br />

Effektive intrinsische Ladungsdichte<br />

� Normaleneinheitsvektor<br />

p Konzentration <strong>der</strong> frei beweglichen Löcher<br />

P Mittlere Verlustleistung<br />

Pn Absolute Thermoleistung für Elektronen<br />

Poff Mittlere Ausschaltverlustleistung<br />

Pon Mittlere Einschaltverlustleistung<br />

Pp Absolute Thermoleistung für Löcher<br />

PV<br />

Maximal zulässige Verlustleistung bzw. zulässige Impulsspitzen‐<br />

leistung<br />

Q Ladung<br />

Qf Restladung beim Diode‐Recovery‐Stress‐Test<br />

Qg Gate‐Ladung<br />

Qgd Miller‐Ladung<br />

Qgs Gate‐Source‐Ladung<br />

Qox Oxidladung<br />

Qrr Diffusionsladung, Sperrverzögerungsladung<br />

Qs Nachlaufladung<br />

rb Radius des gekrümmten pn‐Übergangs<br />

rkrit Kritischer Radius <strong>der</strong> gekrümmten Raumladungszone<br />

rm Lateraler Krümmungsradius<br />

r � Ortsvektor<br />

r � Ortsvektor des nächsten Punktes zur Si‐SiO2‐Grenzfläche<br />

i<br />

R Rekombinationsrate, Radius<br />

A<br />

R Auger‐Rekombinationsrate<br />

Rd Radiale Ausdehnung <strong>der</strong> Raumladungszone<br />

RDS Wi<strong>der</strong>stand <strong>der</strong> Drain‐Source‐Strecke<br />

RDS(on) Durchlass‐ bzw. Einschaltwi<strong>der</strong>stand<br />

RBE Basis‐Emitter‐Wi<strong>der</strong>stand<br />

RG Gatewi<strong>der</strong>stand<br />

Rkrit Radiale Ausdehnung <strong>der</strong> Raumladungszone beim Durchbruch

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