Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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182 Notationsverzeichnis<br />
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Cds Drain‐Source‐Kapazität<br />
C′ ds0<br />
Flächenbezogene Drain‐Source‐Kapazität bei UDS = 0<br />
Cgd Gate‐Drain‐Kapazität<br />
Cgs Gate‐Source‐Kapazität<br />
Ciss Eingangskapazität<br />
CK MOS‐Kapazität zwischen dem Gate und dem Kanal<br />
Cn Auger‐Koeffizient für Elektronen<br />
C + n<br />
Überlappungskapazität zwischen dem Gate und <strong>der</strong> n + ‐Source<br />
CO Kapazität aus <strong>der</strong> Schichtenfolge Polygate‐Oxid‐Sourcemetall<br />
Coss Ausgangskapazität<br />
Cox Oxidkapazität<br />
C′ ox<br />
Oxidkapazität pro Flächeneinheit<br />
Cp Auger‐Koeffizient für Löcher<br />
Crss Rückwirkungskapazität<br />
CRLZ Raumladungszonen‐Kapazität<br />
d Driftzonentiefe<br />
dox Gateoxiddicke<br />
dO Dicke des Oxids zwischen Gate und Source‐Metallisierung<br />
Dn Diffusionskonstante für Elektronen<br />
Dp Diffusionskonstante für Löcher<br />
E Elektrische Feldstärke<br />
E � Elektrisches Feld<br />
E Elektrische Feldstärke parallel zur Trägerstromrichtung<br />
||<br />
E ⊥ Elektrische Transversalfeldstärke<br />
Eav Avalancheenergie<br />
EC Leitungsbandkante<br />
EF Fermi‐Energie<br />
EFi Intrinsische Fermi‐Energie<br />
EFn Quasi‐Fermi‐Energie <strong>der</strong> Elektronen<br />
EFp Quasi‐Fermi‐Energie <strong>der</strong> Löcher<br />
Eg Bandlücke<br />
Ekrit Kritische Feldstärke<br />
ox E krit<br />
Kritische Durchbruchfeldstärke <strong>von</strong> SiO2<br />
E Kritische Feldstärke beim zylindrischen Durchbruch<br />
Z<br />
krit<br />
Emax Maximale Feldstärke<br />
Eref Referenzfeld<br />
ESat Sättigungsfeldstärke<br />
ET Energieniveau <strong>der</strong> tiefen Störstellen<br />
EV Valenzbandkante<br />
Ex Längsfeldstärke<br />
Ey Vertikalfeldstärke<br />
f Schaltfrequenz
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