Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

Notationsverzeichnis
Physikalische Konstanten
Elementarladung q 1,602⋅10 ‐19 [C]
Dielektrizitätskonstante von Silizium εSi 1,03 ⋅ 10 ‐12 [F/cm]
Dielektrizitätskonstante von Oxid εox 3,45 ⋅ 10 ‐13 [F/cm]
Ruhemasse der Elektronen m0 9,1 ⋅ 10 ‐31 [kg]
Planksche Konstante h 6,625 ⋅ 10 ‐34 [Js]
Boltzmann‐Konstante k 1,38 ⋅ 10 ‐23 [JK ‐1 ]
Eigenleitungsdichte (T = 300 K) ni 1,0⋅10 10 [cm ‐3 ]
Temperaturspannung (T = 300 K) UT = kT/q 25,86 [mV]
Physikalische Größen
ai
Feldabhängiger Faktor der Stoßionisationskoeffizienten
A Aktive Chipfläche
AD Überlappungsfläche der Gateelektrode über die Driftzone
ADIO Diodenfläche
ADrift Ortsabhängige Durchtrittsfläche
AK Überlappungsfläche zwischen dem Gate und dem Kanal
AML Metallurgische Grenzfläche
A + n
Überlappungsfläche zwischen dem Gate und der n + ‐Source
AO Überlappungsfläche zwischen dem Gate und dem Sourcemetall
b Breite der Driftzone, Zellabstand
bi Feldabhängiger Faktor der Stoßionisationskoeffizienten
B Faktor zur Beschreibung des Einflusses der Ladungsträger‐
cL
beweglichkeit
Wärmekapazität
C Fulop‐Stoßionisationskoeffizient