24.11.2012 Aufrufe

Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.

176 Literaturverzeichnis<br />

_________________________________________________________________________________________________________________<br />

Clamping Diode for Induced Bulk Breakdown without EPI Layer. In: Proc.<br />

ISPSD, 2001, pp. 347‐350.<br />

[KSG92] Klaassen, D. B. M.; Slotboom, J.W.; de Graaff, H.C.: Unified apparent<br />

bandgap narrowing in n‐ and p‐type. Silicon Solid‐State Electron, Vol. 35<br />

(1992), No.2, pp. 125‐129.<br />

[LDK99] Lorenz, L.; Deboy, G.; Knapp, A.; M.März, M.: CooLMOS TM – a new mile‐<br />

stone in high voltage power MOS. In: Proc. ISPSD, 1999, pp. 3‐10.<br />

[LDM98] Lorenz, L.; Deboy, G.; März, M.; Stengl, J.‐P.; Bachofner, A.: Drastic<br />

Reduction of On‐Resistance with COOLMOS. In: Proc. PCIM Europe 5,<br />

1998, pp. 250‐258.<br />

[LH80] Lochmann, W.; Haug, A.: Phonon‐assisted Auger recombination in Si with<br />

direct calculation of the overlap integrals. Solid State Communications, Vol.<br />

35 (1980), pp. 553‐556.<br />

[LLK93] Liu, C.; Lou, K.; Kuo, J. B.: 77 K Versus 300 K Operation: The Quasi‐Satura‐<br />

tion Behavior of a DMOS Device and Its Fully Analytical Model. IEEE Trans.<br />

Electron. Devices, Vol. 40 (1993), No. 9, pp. 1636‐1644.<br />

[LMH83] Lang, E; Madarasz, F. L.; Hemeger, P. M.: Temperature dependent density<br />

of states effective mass in nonparabolic p‐type Silicon. J. Appl. Phys., Vol. 54<br />

(1983), No. 6, p. 3612.<br />

[LMS88] Lombardi, C.; Manzini, S.; Saporito, A.; Vazi, M.: A Physically Based<br />

Mobility Model for Numerical Simulation of Nonplanar Devices. IEEE Trans.<br />

on CAD, Vol. 7 (1988), No. 11, pp. 1164‐1171.<br />

[Lud00] Ludikhuize, A. W.: A Review of RESURF Technology. In: Proc. ISPSD,<br />

2000, pp. 11‐18.<br />

[Mar68] De Mari, A.: An accurate numerical steady‐state one‐dimensional solution of<br />

the p‐n junction. Solid‐State Electron, Vol. 11 (1968), pp. 33‐58.<br />

[MCG00] Murari, B.; Contiero, C.; Gariboldi, R.; Sueri, S.; Russo, A.: Smart Power<br />

Technologies Evolution. In: IEEE Industry Applications Conference, Vol. 1<br />

(2000), pp. 10‐19.<br />

[MSS83] Masetti, G.; Severi, M.; and Solmi, S.: Modeling of Carrier Mobility against<br />

Carrier Concentration in Arsenic‐, Phosphorus‐ and Boron‐doped Silicon.<br />

IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED‐30 (1983), pp. 764‐769.

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!