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Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

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174 Literaturverzeichnis<br />

_________________________________________________________________________________________________________________<br />

[BRF83] Bank, R. E.; Rose D. J.; Fichtner, W.: Numerical Methods for Semiconductor<br />

Device Simulation. IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED‐30 (1983), pp.<br />

1031‐1041.<br />

[Chy58] Chynoweth, A. G.: Ionization rates for electrons and holes in Silicon. Phys.<br />

Rev., Vol. 109 (1958), No. 5, pp. 1537‐1540.<br />

[CMM75] Canali, C.; Majini, G.; Min<strong>der</strong>, R.; Ottaviani, G.: Electron and Hole Drift<br />

Velocity Measurements in Silicon and Their Empirical Relation to Electric<br />

Field and Temperature. IEEE Trans. Electron Devices, Vol. ED‐22 (1975),<br />

pp. 1045‐1047.<br />

[CT67] Caughey, D. M.; Thomas, R. E.: Carrier Mobilities in Silicon Empirically<br />

Related to Doping and Field. In: Proc. IEEE, Vol. 55 (1967), pp. 2192‐2193.<br />

[DL91] Dogan, N. S.; Lozano, E.: A New Device Model of VDMOSFET for SPICE<br />

Simulations. In: Proc. ISPSD, 1991, pp. 84‐88.<br />

[DMS98] Deboy, G.; März, M.; Stengl, J. –P.; Strack, H.; Tihanyi, J.; Weber, H.: A<br />

new generation of high voltage MOSFETs breaks the limit line of silicon. In:<br />

IEDM Tech. Dig., 1998, pp. 683‐685.<br />

[DS77] Dziewior, J.; and Schmid, W.: Auger Coefficients for Highly Doped and<br />

Highly Excited Silicon. Appl. Phys. Lett., 31 (1977), pp. 346‐348.<br />

[FJ86] Frank, R.; Janikowski, R.: Trends in Power IC development. In: Proc. PCIM,<br />

1986, pp. 26‐29.<br />

[FL82] Fossum, J. G.; Lee, D. S.: A Physical Model for the Dependence of Carrier<br />

Lifetime on Doping Density in Nondegenerate Silicon. Solid‐State Electron.,<br />

Vol. 25 (1982), No. 8, pp. 741‐747.<br />

[FML83] Fossum, J. G.; Mertens, R. P.; Lee, D. S.; Nijs, J. F.: Carrier Recombination<br />

and Lifetime in Highly Doped silicon. Solid‐State Electron., Vol. 26 (1983),<br />

No. 6, pp. 569‐576.<br />

[FOS76] Fossum, J. G.: Computer‐Aided Numerical Analysis of Silicon Solar Cells.<br />

Solid‐State Electron., Vol. 19 (1976), pp. 269‐277.<br />

[Fuj97] Fujihira, T.: Theory of Semiconductor Superjunction Devices. Jpn. J. Appl.<br />

Phys., Vol. 36 (1997), Part I, No. 10, pp. 6254‐6262.

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