Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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Literaturverzeichnis<br />
[ACH80] Appels, J. A.; Collet, M. G. ; Hart, P. A. H. ; Vaes, H. M. J; Verhoeven, J.<br />
F. C. M.: Thin Layer High‐Voltage Devices (RESURF Devices). Philips J.<br />
Res., Vol. 35 (1980), pp. 1‐13.<br />
[AS02] Amberetu, M. A.; Salama, A. T.: 150‐V Class Superjunction Power<br />
LDMOS Transistor Switch on SOI. In: Proc. ISPSD, 2002, pp. 101‐104.<br />
[AV79] Appels, J. A.; Vaes, H. M. J.: High Voltage Thin Layer Devices (RESURF<br />
Devices). In: Proc. IEDM, 1979, pp. 238‐241.<br />
[Bal96] Baliga, B. J.: Power Semiconductor Devices. Boston, PWS Publishing Com‐<br />
pany, 1996.<br />
[BCF85] Bank, R. E.; Coughran, W. M. Jr.; Fichtner, W.; Grosse, E. H.; Rose, D. J.;<br />
Smith, R. K.: Transient simulation of silicon devices and circuits. IEEE<br />
Trans., Vol. CAD‐4 (1985), pp. 436‐451.<br />
[BG76] Baliga, B. J.; Ghandhi, S. K.: Analytical Solutions for the Breakdown Voltage<br />
of Abrupt, Cylindrical and Spherical Junctions. Solid‐State Electron, Vol. 9<br />
(1976), pp. 739‐744.<br />
[BGG99] Benda, V.; Gowar, J.; Grant, D. A.: Power semiconductor devices: Theory<br />
and application. Chichester, John Wiley & Sons Ltd., 1999.<br />
[BLA85] Blackburn, D. L.: Turn‐off Failure of Power MOSFETs. IEEE Power Elec‐<br />
tronics Specialists Conference, 1985, pp. 429‐435.<br />
[BR81] Bank, R. E.; Rose D. J: Global Approximate Newton Methods. Numer.<br />
Math., Vol. 37 (1981), pp. 279‐295.