Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

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170 Anhang C Zylindrischer Durchbruch __________________________________________________________________________________________________________________
Anhang D Sprungantwort <strong>der</strong> Gate‐Source‐Spannung Beim Ansteuern des Gate mit einem rechteckförmigen Spannungspuls UG am Gatekreis steigt die Gate‐Source‐Spannung UGS nicht instantan, son<strong>der</strong>n mit einer zeitlichen Verzögerung. Zur Beschreibung des zeitlichen Verhaltens wird die Ersatzschaltung des Gatekreises nach Abb. D.1 herangezogen. Abbildung D.1: Ersatzschaltung eines Gate‐Kreises.
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Lehrstuhl für Technische Elektroph
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Danksagung Die vorliegende Arbeit e
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4 STATISCHES VERHALTEN VON SJ‐LDM
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2 Kapitel 1 Einleitung ____________
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4 Kapitel 1 Einleitung ____________
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6 Kapitel 2 Grundlagen der numerisc
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8 Kapitel 2 Grundlagen der numerisc
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10 Kapitel 2 Grundlagen der numeris
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30 Kapitel 3 Laterale Superjunction
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Kapitel 3 Laterale Superjunction‐
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60 Kapitel 4 Statisches Verhalten v
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Kapitel 5 Dynamisches Verhalten von
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Seite 127 und 128: Kapitel 5 Dynamisches Verhalten von
Seite 146: 138 Kapitel 5 Dynamisches Verhalten
Seite 165 und 166: Kapitel 6 Zusammenfassung In der vo
Seite 167 und 168: Anhang A Quantitative Abschätzung
Seite 169 und 170: 161 Anhang A Quantitative Abschätz
Seite 171 und 172: Anhang B Drainstrom im Quasisättig
Seite 173 und 174: 165 Anhang B Drainstrom im Quasisä
Seite 175 und 176: Anhang C Zylindrischer Durchbruch I
Seite 177: 169 Anhang C Zylindrischer Durchbru
Seite 181 und 182: Literaturverzeichnis [ACH80] Appels
Seite 183 und 184: Literaturverzeichnis 175 __________
Seite 189 und 190: Notationsverzeichnis Physikalische
Seite 191 und 192: Notationsverzeichnis 183 __________
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