Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
165 Anhang B Drainstrom im Quasisättigungsbereich<br />
________________________________________________________________________________________________________________<br />
12<br />
UDS 2bqµ nN ⎛ D 2εSiN<br />
⎞<br />
S<br />
32<br />
32<br />
DQSat = µ n D − ⋅ ( DS + D ) − D<br />
LD 3L<br />
⎜<br />
D qND NS N ⎟<br />
D<br />
I bdq N ⎜ ⎟ ⎡ U U U ⎤<br />
( + ) ⎣ ⎦<br />
⎝ ⎠<br />
(B.7)<br />
Die Quasisättigung des Drainstroms wird durch die Feldabhängigkeit <strong>der</strong><br />
Elektronenbeweglichkeit beeinflusst. Einen guten Ansatz dafür liefert die Formel<br />
[CT67]<br />
µ µ<br />
µ n = =<br />
⎛ ⎞ ⎛ ⎞<br />
1+ ⎜ 1<br />
E<br />
⎟ + ⎜<br />
Sat LDE ⎟<br />
⎝ ⎠ ⎝ Sat ⎠<br />
0 0<br />
Ex 2<br />
UDS<br />
2<br />
(B.8)<br />
mit µ0 <strong>der</strong> Nie<strong>der</strong>feldbeweglichkeit <strong>der</strong> Elektronen und ESat = vSat,n/µ0 <strong>der</strong><br />
Sättigungsfeldstärke für das Eintreten <strong>der</strong> Quasisättigung.<br />
Das Einsetzen <strong>von</strong> Gl. (B.8) in Gl. (B.7) liefert schließlich für den Drain‐<br />
Quasisättigungsstrom die folgende Strom‐Spannungs‐Gleichung, die im<br />
Quasisättigungsbereich gilt:<br />
12<br />
bdqµ 0N ⎧<br />
D ⎪ 2 ⎛ 2εSiN⎞<br />
⎫<br />
S<br />
32<br />
32 ⎪<br />
DQSat = ⋅⎨ DS − ⋅ ⎡( DS + D ) − ⎤ D<br />
2<br />
U<br />
3d<br />
⎜ qND( NS ND)<br />
⎟<br />
⎣ ⎦⎬<br />
⎛ DS ⎞ ⎪ ⎝ + ⎠<br />
⎪<br />
LD<br />
⋅ 1+<br />
⎩ ⎭<br />
⎜<br />
LE<br />
⎟<br />
D Sat<br />
I U U U U<br />
⎝ ⎠<br />
(B.9)
Change language