Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
161 Anhang A Quantitative Abschätzung <strong>der</strong> Silizium‐Limits<br />
________________________________________________________________________________________________________________<br />
Wegen U(BR)DSS ≈ Ekrit ·LD ist dann<br />
6<br />
⎛LD⎞ U( BR) DSS = LD⋅ Ekrit=<br />
⎜<br />
C<br />
⎟<br />
⎝ ⎠<br />
17<br />
(A.11)<br />
Durch Eliminieren <strong>von</strong> LD in Gl. (A.10) unter Zuhilfenahme <strong>von</strong> Gl. (A.11) ergibt sich<br />
E ⎛<br />
krit ⎜<br />
1<br />
=<br />
V/cm ⎜<br />
⎝ C ⋅U<br />
( BR)<br />
DSS<br />
⎞<br />
⎟<br />
⎠<br />
1 6<br />
5 ⎛U<br />
= 6,<br />
18 ⋅10<br />
⋅ ⎜<br />
⎝ V<br />
(BR)DSS<br />
Mit Gleichung (A.12) wird die Länge LD bei Spannungsdurchbruch zu<br />
L U D =<br />
cm E<br />
( BR)<br />
DSS<br />
krit<br />
=<br />
1,<br />
62 ⋅10<br />
⎛U<br />
⋅ ⎜<br />
⎝<br />
− 6 (BR)DSS<br />
V<br />
⎞<br />
⎟<br />
⎠<br />
7 6<br />
⎞<br />
⎟<br />
⎠<br />
−1<br />
6<br />
(A.12)<br />
(A.13)<br />
Auch wegen Gl. (A.12) nehmen die Gleichungen (3.9) und (A.2) folgende Gestalten<br />
an<br />
RESURF<br />
N� /cm -2 12<br />
−1<br />
6<br />
= D ⋅ d = 2,<br />
8⋅10<br />
⋅ ( U(<br />
BR)<br />
DSS V)<br />
µ n ⎛ d ⎞<br />
= 2367 ⋅<br />
2<br />
⎜ ⎟<br />
cm /Vs ⎝ cm ⎠<br />
N (A.14)<br />
1 12<br />
⎛U<br />
⋅ ⎜<br />
⎝<br />
( BR)<br />
DSS<br />
V<br />
Aus <strong>der</strong> Gleichung (A.13) bis (A.15) folgt das Silizium‐Limit für RESURF<br />
RDS<br />
( on)<br />
⋅ A<br />
= 2,<br />
46 ⋅10<br />
2<br />
Ω ⋅ cm<br />
⎞<br />
⎟<br />
⎠<br />
1 72<br />
−1<br />
12<br />
−9 ⎛ d ⎞ ⎛ ( BR)<br />
DSS<br />
⋅ ⎜ ⎟<br />
⎝ cm ⎠<br />
U<br />
⋅ ⎜<br />
⎝<br />
V<br />
⎞<br />
⎟<br />
⎠<br />
179 72<br />
(A.15)<br />
(A.16)<br />
A.3 Silizium‐Limit <strong>von</strong> Superjunction‐LDMOS‐Transistoren<br />
Für SJ ist das Ergebnis (A.13) anwendbar. Dadurch berechnen sich die Gleichungen<br />
(3.14) und (A.2) zu<br />
N<br />
cm<br />
D<br />
−3<br />
12 ⎛ b ⎞<br />
= 5,<br />
6 ⋅10<br />
⋅ ⎜ ⎟<br />
⎝ cm ⎠<br />
µ n ⎛ b ⎞<br />
= 2234 ⋅<br />
2<br />
⎜ ⎟<br />
cm /Vs ⎝ cm ⎠<br />
−1<br />
1 12<br />
⎛U<br />
⋅ ⎜<br />
⎝<br />
⎛U<br />
⋅ ⎜<br />
⎝<br />
( BR)<br />
DSS<br />
V<br />
( BR)<br />
DSS<br />
V<br />
⎞<br />
⎟<br />
⎠<br />
−1<br />
6<br />
⎞<br />
⎟<br />
⎠<br />
1 72<br />
(A.17)<br />
(A.18)