Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

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148 Kapitel 5 Dynamisches Verhalten von SJ‐LDMOS‐Transistoren _________________________________________________________________________________________________________________ Abbildung 5.26: Elektronendichtenverteilung während des Sperrerholvorganges der ungleichförmigen SJ mit ∆NA = 0%. Der Erholvorgang fängt bei t = 0 ns an.
Kapitel 5 Dynamisches Verhalten von SJ‐LDMOS‐Transistoren 149 _________________________________________________________________________________________________________________ Abbildung 5.27: Löcherdichtenverteilung während des Sperrerholvorganges der ungleichförmigen SJ mit ∆NA = 0%. Der Erholvorgang fängt bei t = 0 ns an.
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Lehrstuhl für Technische Elektroph
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Danksagung Die vorliegende Arbeit e
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4 STATISCHES VERHALTEN VON SJ‐LDM
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2 Kapitel 1 Einleitung ____________
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4 Kapitel 1 Einleitung ____________
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6 Kapitel 2 Grundlagen der numerisc
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8 Kapitel 2 Grundlagen der numerisc
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Seite 146: 138 Kapitel 5 Dynamisches Verhalten
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Seite 165 und 166: Kapitel 6 Zusammenfassung In der vo
Seite 167 und 168: Anhang A Quantitative Abschätzung
Seite 169 und 170: 161 Anhang A Quantitative Abschätz
Seite 171 und 172: Anhang B Drainstrom im Quasisättig
Seite 173 und 174: 165 Anhang B Drainstrom im Quasisä
Seite 175 und 176: Anhang C Zylindrischer Durchbruch I
Seite 177 und 178: 169 Anhang C Zylindrischer Durchbru
Seite 179 und 180: Anhang D Sprungantwort der Gate‐S
Seite 181 und 182: Literaturverzeichnis [ACH80] Appels
Seite 183 und 184: Literaturverzeichnis 175 __________
Seite 189 und 190: Notationsverzeichnis Physikalische
Seite 191 und 192: Notationsverzeichnis 183 __________
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