Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

Weitere Magazine

Empfehlungen

Info

148 Kapitel 5 Dynamisches Verhalten von SJ‐LDMOS‐Transistoren _________________________________________________________________________________________________________________ Abbildung 5.26: Elektronendichtenverteilung während des Sperrerholvorganges der ungleichförmigen SJ mit ∆NA = 0%. Der Erholvorgang fängt bei t = 0 ns an.
Kapitel 5 Dynamisches Verhalten von SJ‐LDMOS‐Transistoren 149 _________________________________________________________________________________________________________________ Abbildung 5.27: Löcherdichtenverteilung während des Sperrerholvorganges der ungleichförmigen SJ mit ∆NA = 0%. Der Erholvorgang fängt bei t = 0 ns an.
Seite 1:
Lehrstuhl für Technische Elektroph
Seite 5:
Danksagung Die vorliegende Arbeit e
Seite 8 und 9:
4 STATISCHES VERHALTEN VON SJ‐LDM
Seite 10 und 11:
2 Kapitel 1 Einleitung ____________
Seite 12 und 13:
4 Kapitel 1 Einleitung ____________
Seite 14 und 15:
6 Kapitel 2 Grundlagen der numerisc
Seite 16 und 17:
8 Kapitel 2 Grundlagen der numerisc
Seite 18 und 19:
10 Kapitel 2 Grundlagen der numeris
Seite 20 und 21:
Seite 22 und 23:
Seite 24 und 25:
Seite 26 und 27:
Seite 28 und 29:
Seite 30 und 31:
Seite 32 und 33:
Seite 34 und 35:
Seite 36 und 37:
Seite 38 und 39:
30 Kapitel 3 Laterale Superjunction
Seite 40 und 41:
Seite 42 und 43:
Seite 44 und 45:
Seite 46 und 47:
Seite 48 und 49:
Seite 50 und 51:
Seite 52 und 53:
Seite 55 und 56:
Kapitel 3 Laterale Superjunction‐
Seite 57:
Kapitel 3 Laterale Superjunction‐
Seite 60 und 61:
Seite 62 und 63:
Seite 64 und 65:
Seite 66 und 67:
Seite 68 und 69:
60 Kapitel 4 Statisches Verhalten v
Seite 70 und 71:
Seite 72 und 73:
Seite 74 und 75:
Seite 76 und 77:
Seite 78 und 79:
Seite 80 und 81:
Seite 82 und 83:
Seite 84 und 85:
Seite 86 und 87:
Seite 88:
Seite 91 und 92:
Kapitel 4 Statisches Verhalten von
Seite 93 und 94:
Seite 95 und 96:
Seite 97 und 98:
Seite 99 und 100:
Seite 101 und 102:
Seite 103 und 104:
Seite 105 und 106: Kapitel 4 Statisches Verhalten von
Seite 119 und 120: Kapitel 5 Dynamisches Verhalten von
Seite 146: 138 Kapitel 5 Dynamisches Verhalten
Seite 155: Kapitel 5 Dynamisches Verhalten von
Seite 165 und 166: Kapitel 6 Zusammenfassung In der vo
Seite 167 und 168: Anhang A Quantitative Abschätzung
Seite 169 und 170: 161 Anhang A Quantitative Abschätz
Seite 171 und 172: Anhang B Drainstrom im Quasisättig
Seite 173 und 174: 165 Anhang B Drainstrom im Quasisä
Seite 175 und 176: Anhang C Zylindrischer Durchbruch I
Seite 177 und 178: 169 Anhang C Zylindrischer Durchbru
Seite 179 und 180: Anhang D Sprungantwort der Gate‐S
Seite 181 und 182: Literaturverzeichnis [ACH80] Appels
Seite 183 und 184: Literaturverzeichnis 175 __________
Seite 189 und 190: Notationsverzeichnis Physikalische
Seite 191 und 192: Notationsverzeichnis 183 __________
Alle anzeigen

Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

Erfolgreiche ePaper selbst erstellen

Template löschen?

Als Template speichern?