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Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

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Kapitel 5 Dynamisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren 145<br />

_________________________________________________________________________________________________________________<br />

Tabelle 5.4: Sperrerholzeiten <strong>der</strong> untersuchten SJ‐LDMOS‐Transistoren.<br />

Kenngröße<br />

trr [ns]<br />

∆NA =<br />

−10%<br />

2920<br />

Gleichförmige SJ<br />

∆NA =<br />

0%<br />

471<br />

∆NA =<br />

+10%<br />

488<br />

Ungleichförmige SJ<br />

∆NA =<br />

−10%<br />

546<br />

∆NA =<br />

0%<br />

475<br />

∆NA =<br />

+10%<br />

Bei <strong>der</strong> Ermittlung <strong>der</strong> Sperrerholzeit trr ist diese Schwingungsdauer auszuschließen,<br />

bei <strong>der</strong> Ermittlung <strong>von</strong> Ausschaltverlusten aber einzuschließen. Als Folge des Über‐<br />

schwingens im Spannungsverlauf überschreitet die Diodenspannung kurzzeitig den<br />

Grenzwert <strong>der</strong> Sperrfähigkeit des Bauelements, wobei das Bauelement geschädigt<br />

werden kann. Solche unerwünschten Überspannungseffekte sind durch Beschalten<br />

eines Kondensators parallel zum Bauelement vermeidbar [SCH96].<br />

Genau wie die ungleichförmige Variante zeigt auch die gleichförmige SJ bis auf ∆NA<br />

= −10% ein hartes Abklingen des Rückstroms. Bei ∆NA = −10% dauert die Sperrerhol‐<br />

zeit <strong>der</strong> gleichförmigen SJ relativ lange; in diesem Fall zeigt das Bauelement ein sehr<br />

sanftes Sperrerholverhalten mit gefahrloser Spitzensperrspannung. Der weiche<br />

Rückstromabfall ist zwar erwünscht, führt aber bei beträchtlich langer Dauer zur Er‐<br />

hitzung und anschließend zur Beschädigung des Bauelements. Der Stromsprung<br />

kommt dadurch zustande, dass einerseits bis zum Einsatz <strong>der</strong> Sperrspannung UR<br />

nahezu die gesamte Speicherladung durch den Rückstrom aus <strong>der</strong> Driftzone abge‐<br />

führt ist, an<strong>der</strong>erseits sind alle beweglichen Ladungsträger bereits bei relativ kleiner<br />

Sperrspannung (typischerweise < 50 V) mit Hilfe <strong>der</strong> p‐Säulen aus <strong>der</strong> Driftzone aus‐<br />

geräumt. Die übrige Speicherladung ist demnach so gering, dass es zum Rückstrom‐<br />

abriss kommt. Abb. 5.24 und Abb. 5.25 vergleichen die Trägerdichtenverteilung<br />

während des Sperrerholvorganges <strong>der</strong> gleichförmigen SJ mit ∆NA = −10% mit<br />

<strong>der</strong>jenigen <strong>der</strong> ungleichförmigen SJ mit ∆NA = 0% (Abb. 5.26 und Abb. 5.27). Hierbei<br />

sei t so verschoben, dass <strong>der</strong> Beginn des Sperrerholvorganges mit t = 0 ns<br />

zusammenfällt, und so ereignet sich das Abklingen des Rückstroms bei t ≈ 400 ns. Es<br />

ist eindeutig, dass bei <strong>der</strong> gleichförmigen SJ mit ∆NA = −10% nach dem Erreichen des<br />

Rückstromspitzenwertes eine bestimme Anzahl <strong>von</strong> Elektronen noch in <strong>der</strong> Drift‐<br />

zone vorhanden ist, beson<strong>der</strong>s auf <strong>der</strong> Drainseite. Jene Elektronen sind für das sanfte<br />

Sperrerholverhalten verantwortlich.<br />

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