Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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Kapitel 2 Grundlagen <strong>der</strong> numerischen Modellierung<br />
7<br />
_________________________________________________________________________________________________________________<br />
Für Löcher ergibt sich die Temperaturabhängigkeit <strong>der</strong> effektiven Masse<br />
entsprechend [LMH83J:<br />
m p<br />
2 3<br />
2 3 4<br />
⎛ A + BT<br />
+ CT<br />
+ DT + ET ⎞<br />
= (2.7)<br />
2 3 4<br />
⎝ F + GT + HT + IT + JT ⎠<br />
( T ) ⎜<br />
⎟ m0<br />
wobei die Parameter A bis J in Tabelle 2.1 angegeben sind.<br />
Tabelle 2.1: Parameter für die Temperaturabhängigkeit <strong>der</strong> effektiven Löchermasse.<br />
Parameter<br />
A<br />
B<br />
C<br />
D<br />
E<br />
F<br />
G<br />
H<br />
I<br />
J<br />
Wert<br />
0,4435870<br />
0,003609528<br />
0,0001173515<br />
1,263218 ∙ 10 ‐6<br />
3,025581 ∙ 10 ‐9<br />
1<br />
0,004683382<br />
0,0002286895<br />
7,469271 ∙ 10 ‐7<br />
1,727481 ∙ 10 ‐9<br />
Einheit<br />
Für den intrinsischen Halbleiter gilt im thermodynamischen Gleichgewicht n = p = n i<br />
und E F = E<br />
n F = E p F , wobei E i<br />
F die intrinsische Fermi‐Energie und n i<br />
i die intrinsische<br />
Ladungsdichte des Eigenhalbleiters bezeichnet. Durch Multiplizieren <strong>der</strong> Gleichun‐<br />
gen (2.1) und (2.2) erhält man einen wichtigen Zusammenhang, <strong>der</strong> als Massenwir‐<br />
kungsgesetz bekannt ist:<br />
‐<br />
K ‐1<br />
K ‐2<br />
K ‐3<br />
K ‐4<br />
‐<br />
K ‐1<br />
K ‐2<br />
K ‐3<br />
K ‐4
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