Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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Kapitel 5 Dynamisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren 141<br />
_________________________________________________________________________________________________________________<br />
Bauelement beim Übergang vom Leit‐ in den Sperrzustand. Im Leitzustand ist <strong>der</strong><br />
pn‐Übergang mit einer hohen Anzahl <strong>von</strong> Minoritätsträgern überschwemmt. Dabei<br />
fließt ein Durchlassstrom IF in Vorwärtsrichtung. Wird die Betriebsspannung umge‐<br />
polt, so müssen die Minoritätsträger, d.h. die im Leitzustand gespeicherte<br />
Diffusionsladung Qrr, entfernt werden. Dadurch kann IF nur mit einer Zeitverzöge‐<br />
rung auf seinen Sättigungswert in Sperrrichtung IS (≈ 0 A) abfallen.<br />
I F<br />
I rrm<br />
U F<br />
-U DD<br />
U rm<br />
0<br />
0<br />
I<br />
U<br />
dI r /dt<br />
t s<br />
Q s<br />
t rr<br />
(a)<br />
Q f<br />
(b)<br />
t f<br />
0,9I rrm<br />
0,1I rrm<br />
Abbildung 5.21: Sperrerholvorgang <strong>der</strong> Rückwärtsdiode des SJ‐LDMOS; (a) Schal‐<br />
tungsanordnung (b) Zeitliche Verläufe.<br />
t<br />
t
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