Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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Kapitel 5 Dynamisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren 133<br />
_________________________________________________________________________________________________________________<br />
U GS<br />
0<br />
I D<br />
0<br />
U DS<br />
0<br />
U DD<br />
t d(on)<br />
(a)<br />
Einschalten Abschalten<br />
U GS(TH)<br />
t r<br />
U´ GS<br />
I L<br />
U DS(on)<br />
U G<br />
t<br />
t<br />
U GS<br />
t t<br />
(b)<br />
0<br />
I D<br />
0<br />
U DS<br />
0<br />
U G<br />
U DS(on)<br />
t d(off)<br />
t f<br />
U GS(TH)<br />
Abbildung 5.15: Untersuchung des Schaltverhaltens vom SJ‐LDMOS bei ohmscher<br />
Last; (a) Testschaltung (b) Typische zeitliche Verläufe mit<br />
Definition <strong>der</strong> Schaltzeiten.<br />
I L<br />
U´ GS<br />
U DD<br />
t<br />
t
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