Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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130 Kapitel 5 Dynamisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren<br />
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Diese kaum bemerkbare Erhöhung <strong>der</strong> Einschaltgeschwindigkeit <strong>der</strong> ungleichförmi‐<br />
gen SJ mit ∆NA = +10% kommt dadurch zustande, dass zu Beginn des Einschaltvor‐<br />
gangs aufgrund des Überschusses an Akzeptoren ein bestimmtes Gebiet in <strong>der</strong> Säule<br />
nahe <strong>der</strong> Source noch an Löchern reich ist (siehe Abb. 5.14). Dieses Gebiet ist<br />
elektrisch neutral, besitzt aber einen endlichen Wi<strong>der</strong>stand, was zu einer weiteren<br />
Blockierung <strong>der</strong> Löcherströmung in die Säule führt. Folglich än<strong>der</strong>t sich die Ein‐<br />
schaltzeit <strong>der</strong> ungleichförmigen SJ mit ∆NA = +10% sehr wenig. Zum Vergleich ist die<br />
Löcherdichtenverteilung während des Einschaltvorganges <strong>der</strong> ungleichförmigen SJ<br />
mit ∆NA = 0% in Abb. 5.13 dargestellt, aus <strong>der</strong> hervorgeht, dass in diesem Fall bereits<br />
vor Beginn des Einschaltens nahezu alle Löcher aus den Säulen ausgeräumt sind.<br />
Abbildung 5.13: Löcherdichtenverteilung in <strong>der</strong> ungleichförmigen SJ mit ∆NA = 0%<br />
während des induktiven Einschaltvorganges.
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