Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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Kapitel 5 Dynamisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren 113<br />
_________________________________________________________________________________________________________________<br />
Hierin sind AK die flächige Überlappung des Gates über den Kanalbereich,<br />
p<br />
U FB die<br />
negative Flachbandspannung des n + ‐Polygate/p‐Halbleiter‐Systems (siehe Gl. 4.13),<br />
NK die Kanaldotierung, ψS,AKK die Bandverbiegung in Akkumulation und ψS,INV die<br />
Bandverbiegung in Inversion 7 .<br />
p +<br />
G<br />
S D<br />
n +<br />
p‐Basis<br />
CO<br />
C K<br />
C n +<br />
C ds<br />
d O<br />
d ox<br />
C gd<br />
B<br />
(a)<br />
(b)<br />
SiO 2<br />
n-Driftzone<br />
p-Substrat<br />
Abbildung 5.1: Parasitäre Kapazitäten beim RESURF‐LDMOS; (a) Schematische<br />
Darstellung (b) Ersatzschaltbild.<br />
7 ψS,AKK ist auf 0,1 V bis 0,3 V beschränkt, während ψS,INV in <strong>der</strong> Größenordnung <strong>von</strong> 0,7 V bis 1,0 V<br />
liegt.<br />
n +
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