Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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108 Kapitel 4 Statisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren<br />
_________________________________________________________________________________________________________________<br />
(a)<br />
(b)<br />
Abbildung 4.39: Abhängigkeit <strong>der</strong> (a) Durchbruchspannung und des (b) spezifi‐<br />
schen Durchlasswi<strong>der</strong>standes <strong>von</strong> Kompensationsgraden ∆ND bei<br />
den SJ‐Strukturen mit hexagonaler Säulenanordnung.
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