Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

Kapitel 4 Statisches Verhalten von SJ‐LDMOS‐Transistoren 105
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Source
b = 10 µ m
2l s = 15 µ m
L D = 43 µ m
Source
b = 10 µ m
2l s = 16 µ m
L D = 43 µ m
(a) (b)
Abbildung 4.35: Draufsicht des SJ‐Transistors mit hexagonaler Säulenanordnung;
(a) Gleichförmige SJ (b) Ungleichförmige SJ.
(a)
(b)
Abbildung 4.36: Oberflächennahe Stromflusslinien des SJ‐LDMOS‐Transistors mit
hexagonaler Säulenanordnung bei UGS = 10 V, UDS = 1 V; (a)
Gleichförmige SJ (b) Ungleichförmige SJ.