Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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Kapitel 4 Statisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren 101<br />
_________________________________________________________________________________________________________________<br />
(a)<br />
(b)<br />
(c)<br />
Abbildung 4.32: 3D‐Feldstärkeverlauf an <strong>der</strong> Oberfläche einer Halbzelle <strong>der</strong> gleich‐<br />
förmigen SJ beim Durchbruch für drei Kompensationsgrade in den<br />
Säulen ∆NA; (a) ∆NA = −10% (b) ∆NA = 0% (c) ∆NA = +10%.
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