Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

Weitere Magazine

Empfehlungen

Info

98 Kapitel 4 Statisches Verhalten von SJ‐LDMOS‐Transistoren _________________________________________________________________________________________________________________ Abbildung 4.28: 2D‐Feldstärkeverteilung in der ungleichförmigen SJ beim Durch‐ bruch entlang verschiedener Schnittlinien für drei Kompensa‐ tionsgrade in der Driftzone; ∆ND = −10%, 0%, +10%. Abbildung 4.29: 2D‐Feldstärkeverteilung in der ungleichförmigen SJ beim Durch‐ bruch entlang verschiedener Schnittlinien für drei Kompensati‐ onsgrade in den Säulen; ∆NA = −10%, 0%, +10%.
Kapitel 4 Statisches Verhalten von SJ‐LDMOS‐Transistoren 99 _________________________________________________________________________________________________________________ (a) (b) Abbildung 30: Abhängigkeit des Durchbruchorts von den Kompensationsgraden; (a) Gleichförmige SJ (b) Ungleichförmige SJ.
Seite 1:
Lehrstuhl für Technische Elektroph
Seite 5:
Danksagung Die vorliegende Arbeit e
Seite 8 und 9:
4 STATISCHES VERHALTEN VON SJ‐LDM
Seite 10 und 11:
2 Kapitel 1 Einleitung ____________
Seite 12 und 13:
4 Kapitel 1 Einleitung ____________
Seite 14 und 15:
6 Kapitel 2 Grundlagen der numerisc
Seite 16 und 17:
8 Kapitel 2 Grundlagen der numerisc
Seite 18 und 19:
10 Kapitel 2 Grundlagen der numeris
Seite 20 und 21:
Seite 22 und 23:
Seite 24 und 25:
Seite 26 und 27:
Seite 28 und 29:
Seite 30 und 31:
Seite 32 und 33:
Seite 34 und 35:
Seite 36 und 37:
Seite 38 und 39:
30 Kapitel 3 Laterale Superjunction
Seite 40 und 41:
Seite 42 und 43:
Seite 44 und 45:
Seite 46 und 47:
Seite 48 und 49:
Seite 50 und 51:
Seite 52 und 53:
Seite 55 und 56: Kapitel 3 Laterale Superjunction‐
Seite 57: Kapitel 3 Laterale Superjunction‐
Seite 60 und 61: 52 Kapitel 3 Laterale Superjunction
Seite 68 und 69: 60 Kapitel 4 Statisches Verhalten v
Seite 88: 80 Kapitel 4 Statisches Verhalten v
Seite 91 und 92: Kapitel 4 Statisches Verhalten von
Seite 105: Kapitel 4 Statisches Verhalten von
Seite 119 und 120: Kapitel 5 Dynamisches Verhalten von
Seite 146: 138 Kapitel 5 Dynamisches Verhalten
Seite 157 und 158:
Kapitel 5 Dynamisches Verhalten von
Seite 159 und 160:
Seite 161 und 162:
Seite 163 und 164:
Seite 165 und 166:
Kapitel 6 Zusammenfassung In der vo
Seite 167 und 168:
Anhang A Quantitative Abschätzung
Seite 169 und 170:
161 Anhang A Quantitative Abschätz
Seite 171 und 172:
Anhang B Drainstrom im Quasisättig
Seite 173 und 174:
165 Anhang B Drainstrom im Quasisä
Seite 175 und 176:
Anhang C Zylindrischer Durchbruch I
Seite 177 und 178:
169 Anhang C Zylindrischer Durchbru
Seite 179 und 180:
Anhang D Sprungantwort der Gate‐S
Seite 181 und 182:
Literaturverzeichnis [ACH80] Appels
Seite 183 und 184:
Literaturverzeichnis 175 __________
Seite 185 und 186:
Seite 187 und 188:
Seite 189 und 190:
Notationsverzeichnis Physikalische
Seite 191 und 192:
Notationsverzeichnis 183 __________
Seite 193 und 194:
Seite 195 und 196:
Alle anzeigen

Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

Template löschen?

Als Template speichern?