Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
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98 Kapitel 4 Statisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren<br />
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Abbildung 4.28: 2D‐Feldstärkeverteilung in <strong>der</strong> ungleichförmigen SJ beim Durch‐<br />
bruch entlang verschiedener Schnittlinien für drei Kompensa‐<br />
tionsgrade in <strong>der</strong> Driftzone; ∆ND = −10%, 0%, +10%.<br />
Abbildung 4.29: 2D‐Feldstärkeverteilung in <strong>der</strong> ungleichförmigen SJ beim Durch‐<br />
bruch entlang verschiedener Schnittlinien für drei Kompensati‐<br />
onsgrade in den Säulen; ∆NA = −10%, 0%, +10%.
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