Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
Optimierung der elektrischen Eigenschaften von lateralen ...
Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
Kapitel 4 Statisches Verhalten <strong>von</strong> SJ‐LDMOS‐Transistoren 97<br />
_________________________________________________________________________________________________________________<br />
Abbildung 4.26: 2D‐Feldstärkeverteilung in <strong>der</strong> gleichförmigen SJ beim Durchbruch<br />
entlang verschiedener Schnittlinien für drei Kompensationsgrade<br />
in <strong>der</strong> Driftzone; ∆ND = −10%, 0%, +10%.<br />
Abbildung 4.27: 2D‐Feldstärkeverteilung in <strong>der</strong> gleichförmigen SJ beim Durchbruch<br />
entlang verschiedener Schnittlinien für drei Kompensationsgrade<br />
in den Säulen; ∆NA = −10%, 0%, +10%.
Change language