Aufbau und Charakterisierung eines Guinier-Diffraktometers
Aufbau und Charakterisierung eines Guinier-Diffraktometers
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<strong>Charakterisierung</strong> des <strong>Diffraktometers</strong> 4 - 33<br />
Abb.4-30: Reflexlagenverschiebung bei richtigem Abstand zwischen Probe <strong>und</strong> Photoschicht bei aktivierter<br />
bzw. deaktivierter Korrektur des Positionierungsfehlers in der Bildplatte.<br />
gemessen <strong>und</strong> mit dem Programm „Rietica“ [22] eine Rietveld-Verfeinerung<br />
duchgeführt. Dabei zeigten sich erneut Fehler in den Lagen der höher indizierten<br />
Reflexe des Zinkoxids, obwohl die mitgemessenen Silizium-Reflexe nur eine kleine<br />
konstante Verschiebung aufwiesen. Dies deutet darauf hin, daß es sich hierbei mehr<br />
um einen Fehler im kristallinen <strong>Aufbau</strong> des verwendeten Zinkoxid-Pulvers handelt als<br />
um einen Fehler im <strong>Aufbau</strong> des <strong>Diffraktometers</strong>.<br />
Da sich in Subtraktionsstellung etwas geringere Halbwertsbreiten ergaben, wurde die<br />
Bildplatte, mit vergrößertem Abstand zwischen Probe <strong>und</strong> Photoschicht, schließlich<br />
wieder am Germanium-Monochromator aufgestellt. Es wurde erneut ein Beugungs-<br />
diagramm von Silizium aufgenommen, um zu sehen, ob die verbesserte Position der<br />
Probe <strong>und</strong> die Subtraktionsstellung für besonders kleine Halbwertsbreiten sorgen.<br />
Dabei war die Auto-Korrektur aktiviert <strong>und</strong> die Bildplatte wurde 10min bei einem<br />
Röhrenstrom von 35mA bei 40kV belichtet, wobei der Innenraum evakuiert war <strong>und</strong><br />
sich die Probe tangential zum Fokussierungskreis bewegte. Die Photoschicht wurde<br />
sechsfach bei einem ADC-Gain von 2,5V ausgelesen. Mit „SimRef” [23] wurde eine<br />
Rietveldverfeinerung des Beugungsdiagramms durchgeführt. Dabei wurde der Wert<br />
des Gitterparameters von 5,4308Å festgehalten <strong>und</strong> die Lage der Reflexe über die