4. Halbleiterdetektoren - HEPHY

4.1.4 Der pn-ÜbergangSpezialfall: Der p + n-ÜbergangDie Breite der Verarmungszone an einem pn-Übergang hängt entscheidend vonder effektiven Dotierung des jeweiligen Bereiches ab (siehe Formeln weitervorne). Für einen p + n-Übergang reicht die Verarmungszone nur sehr wenig inden p-Bereich, aber sehr weit in den n-Bereich hinein:Man betrachte z.B. einen p + n-Übergang mit effektiven Dotierkonzentrationenvon N a = 10 15 cm –3 im p-dotierten und N d = 10 12 cm –3 im n-dotierten Bereich.Ohne externe Spannung:W p = 0.02 µm W n = 23 µmN a (in p) >> N d (in n) ➔ W p