4. Halbleiterdetektoren - HEPHY
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<strong>4.</strong>1.3 DotierungDonator- bzw. Akzeptorniveaus in Si und GaAsGemessene Ionisierungsenergienfür diverse Fremdatome in Si undGaAs. Die Niveaus oberhalb der Mitte derBandlücke werden von derLeitungsbandunterkante gemessenund sind Donatorniveaus außerjenen, welche mit A für Akzeptor-niveau markiert sind.Die Niveaus unterhalb der Mitte derBandlücke werden von der Valenz-bandoberkante gemessen und sindAkzeptorniveaus außer jenen,welche mit D für Donatorniveaumarkiert sind.Quelle: S.M. Sze, Semiconductor Devices , J. Wiley & Sons, 1985 — (Nachzeichnungen derOriginale)M. Krammer: Detektoren, SS 09 <strong>Halbleiterdetektoren</strong> 35
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