4. Halbleiterdetektoren - HEPHY
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<strong>4.</strong>1.2 MaterialeigenschaftenDriftgeschwindigkeit und Mobilität – 3Driftgeschwindigkeiten für Elektronen und Löcher in Silizium und GaAs bei Raum-temperatur. Man beachte den Bereich negativer differentieller Mobilität bei GaAs.Quelle: S.M. Sze, Semiconductor Devices , J. Wiley & Sons, 1985M. Krammer: Detektoren, SS 09 <strong>Halbleiterdetektoren</strong> 19
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