4. Halbleiterdetektoren - HEPHY
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<strong>4.</strong>1.2 MaterialeigenschaftenIntrinsische Ladungsträgerdichte – 3Hochreines Silizium hat bei Raum-temperatur eine intrinsische Ladungs-trägerdichte von 1.45·10 10 cm -3 . Bei ca.10 22 Atomen pro cm 3 ergibt sich daraus,daß nur ungefähr 1 von 10 12 Silizium-atomen ionisiert ist. Bild rechts:Intrinsische Ladungsträgerdichtenin Si und GaAs als Funktion derTemperatur (Skala oben).Quelle: S.M. Sze, Semiconductor Devices , J. Wiley & Sons, 1985M. Krammer: Detektoren, SS 09 <strong>Halbleiterdetektoren</strong> 15
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