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1 Überblick über die Sensorik

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Seite 82<br />

162 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.3 Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen 163<br />

mal größer sein). Als gravierender Nachteil kommt aber <strong>die</strong> höhere Temperaturabhängigkeit<br />

des k-Faktors hinzu, <strong>die</strong> in vielen Fällen eine externe Temperaturkompensation<br />

erforderlich macht.<br />

Um <strong>die</strong> Nachteile des Halbleiter-Federkörpers zu vermeiden und trotzdem den höheren<br />

k-Faktor auszunutzen, werden auch Dehnungsmeßstreifen aus polykristallin abgeschiedenes<br />

Silizium (Polysilizium, s. Band 2, Abschnitt 8.2.4) eingesetzt [4.12]. In<br />

<strong>die</strong>sem Fall stellt sich aufgrund der unterschiedlichen Kornorientierungen ein über alle<br />

Kristallrichtungen gemittelter Wert für den k-Faktor ein, der immer noch weit größer<br />

ist als der von Metallen (in Bild 4.1.3-6d zusammen mit anderen typischen Kenndaten<br />

für Polysilizium dargestellt).<br />

Bei Brückenschaltungen mit Stromspeisung lassen sich <strong>die</strong> verschiedenen Temperaturkoeffizienten<br />

so aufeinander abstimmen, daß sich insgesamt sehr niedrige Temperaturkoeffizienten<br />

des Nullpunktes (TC 0 ) und der Empfindlichkeit (TC E ) ergeben<br />

(Bild 4.1.3-7). Tab. 4.1.3-2 zeigt einen Vergleich der Kenndaten von Drucksensoren<br />

mit mono- und polykristallinen Silizium-Dehnungsmeßstreifen.<br />

Bild 4.1.3-6<br />

Eigenschaften von polykristallinen (Korngröße 50 bis 250 nm) Siliziumschichten<br />

(Herstellung durch Niedrigdruck-CVD-Verfahren, s. Band 2, Abschnitt 8.2.4) nach<br />

Bor-Ionenimplantation (s. Band 2, Abschnitt 8.2.5) und Laser-Ausheilung (nach<br />

[4.12]).<br />

a) Temperaturverlauf des normierten Schichtwiderstandes<br />

b) TC R (Temperaturkoeffizient des Widerstandes)<br />

c) longitudinaler k-Faktor von Polysiliziumschichten (ebenfalls eingetragen sind<br />

<strong>die</strong> k-Faktoren von laser-rekristallisierten Polysiliziumschichten, sowie von monokristallinem<br />

Silizium)<br />

d) TC k (Temperaturkoeffizient des k-Faktors)<br />

Bild 4.1.3-7<br />

Maximale Temperaturkoeffizienten von Nullpunkt (TC 0 ) und Empfindlichkeit<br />

(TC E ) von Drucksensoren mit polykristallinen Silizium-Dehnungsmeßstreifen im<br />

Temperaturbereich zwischen -30 o C und +120 o C als Funktion des TC R (nach [4.12])<br />

Den Nachteilen steht aber als grundsätzlicher Vorteil von Halbleiter-DMS relativ zu<br />

metallischen Dehnungsmeßstreifen <strong>die</strong> größere Empfindlichkeit gegenüber aufgrund<br />

des im Prinzip weit größeren k-Faktors (nach Bild 4.1.3-5 kann <strong>die</strong>ser bis zu 100-

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