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1 Überblick über die Sensorik

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Seite 78<br />

154 4.1 Resistive Kraft- und Drucksensoren 4.1.3 Halbleiter-Dehnungsmeßstreifen 155<br />

den. Um Vierfach-Indizes zu vermeiden, beschreiben wir <strong>die</strong> Tensoren mit Komponenten,<br />

<strong>die</strong> nur einen Index enthalten (Indexreduktion durch Vogtsche Notation, s. Band<br />

1, Abschnitt 3.1):<br />

Die lineare Abhängigkeit der Komponenten ∆ i von den sechs Komponenten des<br />

Spannungstensors wird ausgedrückt durch (<strong>die</strong> Tensoren (5) werden jeweils als 6-komponentige<br />

Vektoren geschrieben):<br />

((π)) beschreibt den Tensor der piezoresistiven Konstanten. Aufgrund der kubischen<br />

Symmetrie vereinfacht sich <strong>die</strong>ser Tensor z.B. für Halbleiter mit Diamant- und Zinkblendestruktur<br />

auf <strong>die</strong> Form<br />

Bild 4.1.3-2 und Tab. 4.1.3-1 zeigen experimentell gemessene Werte für <strong>die</strong> piezoresistiven<br />

Koeffizienten des für Drucksensoranwendungen wichtigen Halbleiters Silizium.<br />

Die Werte gelten für Siliziumquader mit Kanten parallel zu den Kristallachsen des Typs<br />

[100]. Bei anderen Orientierungen des Quaders müssen <strong>die</strong> Tensoren entsprechend<br />

transformiert werden [4.8 und 9].<br />

Bild 4.1.3-2 Piezoresistive Koeffizienten von Silizium (nach [4.10])<br />

a) p-Silizium: Abhängigkeit der piezoresistiven Koeffizienten von der Temperatur<br />

b)-c): n-Silizium: Abhängigkeit der piezoresistiven Koeffizienten von der Temperatur<br />

und der Dotierungskonzentration

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