1 Überblick über die Sensorik

76 3.3 Resistive Temperatursensoren 3.3.3 Halbleiterwiderstände 77
Bild 3.3.3-1 spezifischer Widerstand in n-Halbleitern (nach [3.21])
a)Temperaturabhängigkeit der Elektronendichte rn (mit der
Donatordichte rD und der intrinsischen Ladungsträgerdichte ri)und
des spezifischen Widerstands rsp
b) Dotierungsabhängigkeit des TKrsp = aTespdes spezifischen
Widerstandes
Bild 3.3.3-2 Ausführungsformen eines resistiven Halbleiter-Temperatursensors (nach [3.21–3.24])
a) kontaktierter Siliziumquader
b) spreading-resistance-Aufbau (unsymmetrisch)
c) Sensorkennlinie eines Halbleiter-Temperatursensors mit einem Aufbau wie in c)
d) spreading-resistance-Aufbau (symmetrisch)
Bei dem Halbleiterwerkstoff Silizium werden die genannten Werkstoffparameter aufgrund
des hochentwickelten Standes der Technik (Band 2, Abschnitt 8.1) heute inzwischen
so gut beherrscht, daß die Streuung innerhalb der durch die Anwendung vor-