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1 Überblick über die Sensorik

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Seite 243<br />

484 Anhang C3: Verallgemeinerter geometrischer Magnetowiderstandseffekt<br />

Anhang C3: Verallgemeinerter geometrischer Magnetowiderstandseffekt 485<br />

von Gleichung (6) werden als Feldplatten bezeichnet.<br />

Von den in Bild C3-1 aufgeführten experimentellen Realisierungsmöglichkeiten zur<br />

Unterdrückung des Hallfeldes haben <strong>die</strong> Varianten b) und c) <strong>die</strong> größte praktische Bedeutung.<br />

Bei der Ausführung b) werden – z.B. durch Einlagerung von Platten hoher Leitfähigkeit<br />

(vgl. Bilder 5.2.1-1 und 2) – Äquipotentialflächen mit einer Orientierung<br />

senkrecht zur Widerstandsachse, und damit zur angenommenen Stromrichtung, erzeugt<br />

(s. Diskussion am Schluß von Abschnitt 5.1.1).<br />

Jede Feldkomponente, <strong>die</strong> auf der hochleitfähigen Äquipotentialfläche liegt (beim stabförmigen<br />

Widerstand <strong>die</strong> Transversalkomponente) würde zu einem hohen Stromfluß<br />

führen, der <strong>die</strong>se Feldkomponente abbaut: Feldstärkevektoren können daher nur senkrecht<br />

auf der Äquipotentialfläche stehen. Bei einer geometrischen Anordnung wie in<br />

Bild C3-1b sind <strong>die</strong> Äquipotentialflächen so orientiert, daß das Hallfeld E H gerade<br />

auf der Äquipotentialfläche liegt, so daß es vollständig unterdrückt werden kann: Der<br />

Feldstärkevektor senkrecht zur Äquipotentialfläche und hat <strong>die</strong> Richtung des von außen<br />

angelegten Feldes E a . Die Beseitigung des Hallfeldes ist jedoch nur wirksam in der<br />

unmittelbarer Nachbarschaft der leitfähigen Äquipotentialfläche, in größerem Abstand<br />

davon setzt sich das Hallfeld zunehmendem Maße durch, so daß der Feldstärkevektor<br />

(Vektorsumme aus angelegter Feldstärke E a und Hallfeldstärke E H ) insgesamt<br />

aus der Richtung der Widerstandsachse herausgedreht wird: Als Konsequenz der<br />

zunehmenden Wirkung des Hallfeldes wird jetzt der Stromdichtevektor wieder in <strong>die</strong><br />

Richtung der Widerstandsachse gedreht (s. Bild 5.1.1-6b, Bild C3-4 II und III, jeweils<br />

mittlere Bereiche des Widerstands). Der zweidimensionale Verlauf der Stromlinien und<br />

Feldrichtungen mit den dazugehörenden Äquipotentialflächen (nicht zu verwechseln<br />

mit den oben besprochenen durch Einlagerung leitfähiger Platten erzwungenen Äquipotentialflächen)<br />

hängt offensichtlich stark ab von dem Verhältnis der Länge l o zur<br />

Breite b des Widerstands; in Bild C3-3 sind numerisch berechnete Lösungen dargestellt.<br />

Die Verlängerung der Strombahnen aufgrund des geometrischen Magnetowiderstandseffektes<br />

sind in Bild C3-4 deutlich zu erkennen. Signifikante Effekte treten aber<br />

nach (3) nur auf, wenn <strong>die</strong> Hallwinkel θ H hinreichend große Werte annehmen.<br />

Die Corbinoscheibe als praktische Realisierung eines Widerstandes unendlich großer<br />

Breite b in Bild C3-1c läßt sich bei Halbleiterplatten und -schichten durch Aufbringen<br />

einer zentralen und einer ringförmigen Metallelektrode realisieren (Bild C3-3).<br />

Bild C3-3<br />

Praktische Realisierung einer<br />

Corbinoscheibe auf einer Halbleiterschicht:<br />

Die Kontaktierung<br />

erfolgt über eine zentrale und eine<br />

ringförmige Elektrode. Eingezeichnet<br />

ist der Verlauf des elektrischen<br />

Feldes und der Strombahnen<br />

(nach [5.9]).<br />

Bild C3-4<br />

Verlauf der Stromlinien (Stromvektoren entlang der Fortbewegungsrichtung der<br />

Ladungsträger, in den obigen Abbildungen verlaufen sie etwa in horizontaler<br />

Richtung) und der Äquipotentiallinien (Verlauf ungefähr in vertikaler Richtung) bei<br />

verschiedenen Verhältnissen der Länge l o und Breite b von Widerständen. Die<br />

Widerstände sind an ihren Stirnflächen mit einer ohmschen Kontaktschicht hoher<br />

Leitfähigkeit (z.B. einer Metallisierung) versehen, so daß dort <strong>die</strong> Äquipotentialflächen<br />

mit den Kontaktschichten zusammenfallen (nach [C3.1])<br />

I) l o /b = 0,25:<br />

a) n-Halbleiter mit einer Dotierung von 10 16 cm -3 µ n B = 0,21<br />

b) p-Halbleiter mit einer Dotierung von 10 16 cm -3 µ p B = 0,15<br />

II) n-Halbleiter mit einer Dotierung von 10 16 cm -3 , l o /b = 1, µ n B = 0,21<br />

III) n-Halbleiter mit einer Dotierung von 10 16 cm -3 , l o /b = 4<br />

a) µ n B = 0,21<br />

b) µ n B = 0,42<br />

Diese Ergebnisse sind repräsentativ nur für relativ große Hallwinkel tan θ H = µB.

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