1 Ãberblick über die Sensorik
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Seite 234<br />
466 Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen<br />
Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen 467<br />
ρ no 1/m 3 Teilchen-, Elektronendichte pro Volumen im therm.<br />
Gleichgewicht<br />
n<br />
ρ 1/m 3 Elektronendichte in der Raumladungszone eines n-<br />
Halbleiters<br />
no<br />
ρ n 1/m 3 Elektronendichte (= Donatorkonzentration) außerhalb<br />
der Raumladungszone eines n-Halbleiters<br />
ρp n 1/m 3 Elektronendichte in der Raumladungszone eines p-<br />
Halbleiters<br />
po<br />
ρ n 1/m 3 Elektronendichte außerhalb der Raumladungszone eines<br />
p-Halbleiters<br />
Co<br />
ρ n 1/m 3 Elektronendichte im Kollektor im therm. Gleichgewicht<br />
ρ n<br />
Eo<br />
1/m 3 Elektronendichte im Emitter im therm. Gleichgewicht<br />
ρ p 1/m 3 Löcherdichte im Volumen<br />
ρ po 1/m 3 Löcherdichte im Volumen im therm. Gleichgewicht<br />
ρ phot 1/m 3 Photonendichte im Volumen<br />
n<br />
ρ p 1/m 3 Löcherdichte in der Raumladungszone eines n-Halbleiters<br />
ρno p 1/m 3 Löcherdichte außerhalb der Raumladungszone eines<br />
n-Halbleiters<br />
ρ p<br />
B<br />
1/m 3 Löcherdichte in der Basis<br />
ρ p<br />
Bo<br />
1/m 3 Löcherdichte in der Basis im therm. Gleichgewicht<br />
ρ Q A s/m 3 Volumen-Ladungsdichte<br />
ρ sp Ω m spezifischer Widerstand<br />
ρ T 1/m 3 Volumen-Störstellendichte<br />
σ 1/m 2 Flächendichte (Menge pro Fläche)<br />
σ Ν mechanischer Druck oder Zug<br />
σ e 1/Ωm Elektronische Leitfähigkeit<br />
σ hν eV/m 2 Flächendichte der Photonenenergie<br />
σ ik Ν Element des Spannungstensors<br />
σ ion 1/Ω m ionische Leitfähigkeit<br />
σ n 1/Ω m spezifische Leitfähigkeit für Elektronen<br />
WQ<br />
σ opt<br />
m 2 Wirkungsquerschnitt für den Photoneneinfang<br />
σ p 1/Ωm spezifische Leitfähigkeit für Löcher<br />
σ P W/m 2 Flächendichte der Strahlungsleistung<br />
σ Q A s/m 2 Flächen-Ladungsdichte<br />
σ Qn A s/m 2 Elektronen-Flächen-Ladungsdichte<br />
σ Qp A s/m 2 Löcher-Flächen-Ladungsdichte<br />
σ Q<br />
B<br />
A s/m 2 Flächen-Ladungsdichte in der Basis<br />
σ QG ,σ Qf A s/m 2 Grenzflächen-Ladungsdichte<br />
σ QI A s/m 2 Flächen-Ladungsdichte im Oxid<br />
σ Qm A s/m 2 Flächen-Ladungsdichte im Metall<br />
σ Q<br />
sp<br />
A s/m 2<br />
gespeicherte Flächen-Ladungsdichte<br />
WQ<br />
σ rek<br />
m 2 Wirkungsquerschnitt für <strong>die</strong> Rekombination<br />
σ sp 1/Ωm spezifische Leitfähigkeit<br />
ik<br />
σ sp 1/Ωm Element des Tensors der spezifische Leitfähigkeit<br />
τ s Relaxationszeit, Abklingzeit, Lebensdauer<br />
τ * s Wechselstrom-Lebensdauer<br />
τ d s <strong>die</strong>lektrische Relaxationszeit<br />
τ g s Generations-Lebensdauer<br />
τ lB s Laufzeit in der Basis<br />
τ n s Minoritätsträgerlebensdauer für Elektronen<br />
τ p s Minoritätsträgerlebensdauer für Löcher<br />
τ phot s Photonenlebendauer für Löcher
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