1 Ãberblick über die Sensorik
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464 Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen<br />
Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen 465<br />
W V eV Energie der Valenzbandkante<br />
W Vo eV Energie d.Valenzbandkante im therm. Gleichgewicht<br />
W vak eV Vakuumenergie<br />
x,y,z,r m Länge, Ort<br />
x B m Ort einer Barriere<br />
x n m Breite der Raumladungszone in einem n-Halbleiter<br />
x p m Breite der Raumladungszone in einem p-Halbleiter<br />
y ik 1/Ω Vierpolparameter in Leitwertdarstellung<br />
α 1 Wechselstrom-α-Stromverstärkung<br />
α n 1/m Ionisationsrate für Elektronen<br />
α o 1 Gleichstrom-α-Stromverstärkung<br />
α p 1/m Ionisationsrate für Löcher<br />
α T 1 Transportfaktor<br />
n<br />
α s V/K Seebeck-Koeffizient für Elektronen<br />
α<br />
p s V/K Seebeck-Koeffizient für Löcher<br />
(i)<br />
α s V/K Seebeck-Koeffizient für das System i<br />
*<br />
α T 1 Wechselstrom-Transportfaktor<br />
α ∆Q W/m 2·K Wärmeübergangszahl<br />
β o 1 Gleichstrom-β-Stromverstärkung<br />
β 1 Wechselstrom-β-Stromverstärkung<br />
γ 1 Emitterwirkungsgrad<br />
∆<br />
Inkrement<br />
∆<br />
Laplace-Operator<br />
δ m Oxiddicke<br />
ε ik 1 Element des Verzerrungstensors<br />
ε r 1 relative Dielektrizitätskonstante<br />
η % Quantenausbeute, Quantenwirkungsgrad<br />
η geom % geometrisch bestimmter Quantenwirkungsgrad<br />
λ A·s/m 2 K pyroelektrischer Koeffizient<br />
Λ m mittlere freie Weglänge<br />
λ s 1 Sättigungs-Magnetostriktionskoeffizient<br />
µ i eV chemisches Potential des Systems i<br />
µ H m 2 /V·s Hallbeweglichkeit<br />
µ n m 2 /V·s (elektrische) Elektronenbeweglichkeit<br />
µ p m 2 /V·s (elektrische) Löcherbeweglichkeit<br />
µ X eV chemisches Potential des Stoffes X<br />
ν 1/s optische Frequenz<br />
ϕ V elektrisches Potential<br />
Φ m V Arbeitsfunktion im Metall<br />
Φ s V Arbeitsfunktion im Halbleiter<br />
Φ ms V Differenz der Arbeitsfunktionen von Metall und<br />
Halbleiter<br />
χ V Elektronenaffinität<br />
π ik 1/Pa Elemente des Tensors der piezoresistiven Koeffizienten<br />
π l 1/Pa longitudinaler piezoresistiver Koeffizient<br />
π t 1/Pa transversaler piezoresistiver Koeffizient<br />
ρ 1/m 3 Volumendichte (Menge pro Volumen)<br />
ρ A 1/m 3 Akzeptorendichte pro Volumen<br />
ρ A<br />
E<br />
1/m 3 Akzeptorendichte im Emitter<br />
ρ D 1/m 3 Donatorendichte pro Volumen<br />
ρ eff 1/m 3 effektive Ladungsträgerdichte<br />
ρ D<br />
B<br />
1/m 3 Donatorendichte in der Basis<br />
ρ i 1/m 3 intrinsische Ladungsträgerdichte<br />
ρ n 1/m 3 Teilchen-, Elektronendichte pro Volumen
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