1 Ãberblick über die Sensorik
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Seite 232<br />
462 Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen<br />
Anhang A: Dimensionen und Formelzeichen 463<br />
U 1/m 3 s Rekombinationsrate<br />
U<br />
(i) a V angelegte äußere elektrische Spannung oder von außen<br />
meßbare Spannung (EMK) im System i<br />
U B 1 Betriebsspannung<br />
FB<br />
U a V angelegte äußere elektrische Spannung zur Einstellung<br />
des Flachbandzustandes<br />
br<br />
U a V angelegte äußere elektrische Spannung beim Durchbruch<br />
des pn-Übergangs<br />
U EB V Spannung zwischen Emitter und Basis<br />
U CE V Spannung zwischen Kollektor und Emitter<br />
U CB V Spannung zwischen Kollektor und Basis<br />
U D = U DS V Drain-Spannung relativ zur Source-Elektrode<br />
U G = U GS V Gate-Spannung relativ zur Source-Elektrode<br />
U G<br />
FB<br />
V Gate-Spannung im Flachbandfall<br />
U p V Abschnürpannung<br />
U S V Substratspannung<br />
U s 1/m 2 s Oberflächen-Rekombinationsrate<br />
U sens V Sensorspannung<br />
U T V Einsatzspannung<br />
U th ,∆U th V thermische Spannung<br />
v m/s Teilchengeschwindigkeit<br />
v D m/s Driftgeschwindigkeit<br />
v Dn m/s Driftgeschwindigkeit für Elektronen<br />
v Dp m/s Driftgeschwindigkeit für Löcher<br />
v g m/s Gruppengeschwindigkeit<br />
v n m/s Elektronengeschwindigkeit<br />
v p m/s Löchergeschwindigkeit<br />
v th m/s thermische Geschwindigkeit<br />
v x<br />
+<br />
m/s Teilchengeschwindigkeit in Richtung der pos. x-Achse<br />
V,Vol m 3 Volumen<br />
W (i) eV gesamte Energie (des Systems i)<br />
W kr eV Kristallenergie pro Teilchen<br />
W feld eV Feldenergie pro Teilchen<br />
W A eV Energie eines Akzeptorniveaus<br />
W B eV Energiebarriere<br />
Wo B eV Energiebarriere im thermischen Gleichgewicht<br />
(eingebaute Energiebarriere)<br />
W BI eV Kenngröße bei MIS-Übergängen, |W Fo -W i |<br />
W Bn eV Bandaufbiegung in einem n-Halbleiter<br />
W Bp eV Bandaufbiegung in einem p-Halbleiter<br />
W D eV Energie eines Donatorniveaus<br />
W diff eV Aktivierungsenergie für den Diffusionsprozeß<br />
W F eV Fermienergie = chemisches Potential von Elektronen<br />
W Fo eV Fermienergie im thermischen Gleichgewicht<br />
W F<br />
B<br />
eV Fermienergie am Ort der Barriere<br />
W F<br />
nL<br />
eV Fermienergie von Elektronen im Leitungsband<br />
W<br />
nV F eV Fermienergie von Löchern im Valenzband in der<br />
Energieskala für Elektronen<br />
W F<br />
n<br />
eV Fermienergie im n-Halbleiter<br />
W F<br />
p<br />
eV<br />
W g eV Bandabstand<br />
Fermienergie im p-Halbleiter<br />
W(i) n eV (differentielle) Energie pro Teilchen<br />
(Elektronen, im System i)<br />
W p eV (differentielle) Energie pro Teilchen (Löcher)<br />
W i eV Energie der Bandmitte zw. Valenz- und Leitungsband<br />
W gi<br />
kin<br />
eV gesamte kinetische Energie pro System i<br />
W kin,n eV kinetische Energie pro Teilchen;<br />
abgekürzte Schreibweise: W kin<br />
W kin,n<br />
(x,y,z)<br />
eV kinetische Energie pro Teilchen (in x,y,z-Richtung);<br />
(x,y,z)<br />
abgekürzte Schreibweise:W kin<br />
W L =W pot,n eV potentielle Energie pro Teilchen;Energie der<br />
Leitungsbandkante<br />
abgekürzte Schreibweise:W pot<br />
W Lo eV Energie der Leitungsbandkante im thermischen<br />
Gleichgewicht
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