1 Ãberblick über die Sensorik
1 Ãberblick über die Sensorik
1 Ãberblick über die Sensorik
Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.
YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.
Seite 209<br />
416 8.1 Übersicht und Funktionsprinzipien 8.1.6 Grundlagen der molekularen Erkennung in Gassensoren 417<br />
und andererseits an einem konkreten Meßergebnis gezeigt ist.<br />
Bild 8.1.6-1:<br />
Chemisorptionssensoren:<br />
a) Donator(D)- und Akzeptor(A)-Wechselwirkung von adsorbierten Atomen mit<br />
Sensoroberflächen: Dargestellt sind das Bändermodell (Band 2, Abschnitt 2) und<br />
das Energie-Abstands-Diagramm (Band 1, Abschnitt 1.3.1) von geladenen (D +<br />
und A - ) adsorbierten Atomen an der Oberfläche.<br />
b) Typische Ergebnisse zur Änderung der stationären Oberflächenleitfähigkeit<br />
∆σ eq (gemessen mit der Vierspitzen-Methode) und Austrittsarbeit ∆φ eq (gemessen<br />
mit der Kelvin-Methode) – jeweils als Funktion des NO 2 -Partialdrucks – an<br />
SnO 2 -Chemisorptionssensoren mit schematischer Darstellung der Versuchsanordnungen<br />
[8.17].<br />
Veränderte Ladungsverteilungen, Elektronen-Donator- oder Akzeptor-Eigenschaften<br />
des Adsorptionskomplexes, aber auch veränderte optische Eigenschaften können u.a. als<br />
Sensorsignale ausgenutzt werden. Haufig werden Leitfähigkeitseffekte gemessen mit einem<br />
typischen Beispiel in Bild 8.1.6-1b. Die erniedrigte Oberflächenleitfähig-<br />
Bild 8.1.6-2:<br />
Chemisorption von H, O 2 und CO 2 , simuliert über Clusterrechnungen:<br />
Das Substrat – bestehend aus Be-, O-, F- und Li-Atomen wird über <strong>die</strong> Atomanordnung<br />
oben links simuliert [8.2]. Freie Zahlen entsprechen den Atomabständen (in<br />
10 -10 m), Zahlenangaben in Kreisen und Rechtecken entsprechen partiellen Elementarladungen<br />
der Atome vor (Kreise) bzw. nach (Rechtecke) der zusätzlichen Ladungsübertragung.<br />
H liegt als Donator (H + ), O 2 als Akzeptor (O 2 - ) vor.<br />
keit und erhöhte Austrittsarbeit an der Oberfläche kann durch den Akzeptortyp der<br />
Wechselwirkung mit einem resultierenden Elektroneneinfang und dem Aufbau eines<br />
Oberflächendipols quantitativ erklärt werden. Dazu <strong>die</strong>nen entweder Clusterrechnungen<br />
(Bild 8.1.6-2) oder ein Bänderschema, das schematisch in Bild 8.1.6-3 gezeigt ist und in<br />
dem <strong>die</strong> Wechselwirkung der freien im Volumen beweglichen Ladungen mit lokalisierten<br />
Oberflächenzuständen durch Donator- und Akzeptorwechselwirkung erfaßt wird.