1 Ãberblick über die Sensorik
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Seite 156<br />
310 6.1 Wirkung optischer Strahlung auf Festkörper 6.1 Wirkung optischer Strahlung auf Festkörper 311<br />
tion steil [v] gedruckt):<br />
d.h. <strong>die</strong> Energiestromdichte hat <strong>die</strong> Bedeutung einer Flächendichte der Strahlungsleistung<br />
P. Bei gleichbleibender Leistungsdichte σ P der Strahlung nimmt also nach<br />
(15a) <strong>die</strong> Photonenstromdichte j T phot mit zunehmendem ν oder abnehmendem λ ab!<br />
Das Wellenmodell des Lichts eignet sich besonders zur Beschreibung der Lichtabsorption<br />
aufgrund einer elektrischen Polarisation des Dielektrikums (Joulesche Wärme<br />
aufgrund des Verschiebungsstroms). Im Gegensatz dazu eignet sich das Teilchenmodell<br />
in besonderem Maße zur Beschreibung einer anderen Form der Lichtabsorption,<br />
nämlich derjenigen durch Elektronenübergänge innerhalb des Festkörpers (innerer<br />
Phototoeffekt, Band 2, Abschnitt 6.2.1) oder aus dem Festkörper heraus (äußerer<br />
Photoeffekt), beide Effekte werden in Bild 6.1-2 näher erläutert.<br />
Die Erzeugung optisch angeregter Elektronen läßt sich im einfachsten Fall wie <strong>die</strong> Rekombinationskinetik<br />
in Band 2, Abschnitte 6.2.2 und 6.3, über ein Modell aus der kinetischen<br />
Gastheorie (Band 1, Abschnitt 4.1.3) berechnen. Wir gehen aus von einer Volumen-Photonendichte<br />
ρ phot und einer Volumendichte ρ T von Einfangzentren, bei<br />
denen eine optische Absorption stattfinden kann und erhalten als zeitliche Abnahme der<br />
Photonendichte (= zeitliche Zunahme der Dichte der angeregten Elektronen) <strong>die</strong> optische<br />
Generationsrate G n für Elektronen:<br />
Bild 6.1-2<br />
Absorption optischer Strahlung in einem Werkstoff in Verbindung mit der Anregung<br />
von Elektronen. Beim Übergang von der niedrigen auf <strong>die</strong> hohe Quasifermienergie<br />
(<strong>die</strong> eingezeichneten Werte sind Beispiele) wird <strong>die</strong> Entropie verkleinert<br />
(vgl. Band 2, Abschnitt 6.2).<br />
a) innerer Photoeffekt:<br />
Elektronen werden innerhalb des Werkstoffs (in <strong>die</strong>sem Fall ein Halbleiter) angeregt.<br />
Dabei wird unterschieden zwischen intrinsischer Absorption (Elektronen<br />
werden vom Valenz- in das Leitungsband angeregt) und extrinsischer Absorption<br />
(Elektronen werden z.B. von einem Fremdatomzustand in das Leitungsband<br />
angeregt, so daß für den Fremdatomzustand und das Leitungsband verschiedene<br />
Quasifermienergien angenommen werden).<br />
b) äußerer Photoeffekt:<br />
Elektronen werden von der Werkstoffoberfläche weg in den freien Raum angeregt.<br />
Bei allen optischen Übergängen müssen <strong>die</strong> Energie- und Impulserhaltung gewährleistet<br />
sein (Band 2, Abschnitt 6.2.1).<br />
mit der Übergangswahrscheinlichkeit r. Jedes Photon hat eine Geschwindigkeit mit<br />
dem Betrag v, bezüglich der optischen Anregung eines Elektrons möge der Wirkungsquerschnitt<br />
den Wert σ opt<br />
WQ<br />
haben (d.h. bei der Bewegung des Photons erfolgt eine<br />
optische Anregung aller Zentren, <strong>die</strong> in dem aus der Photonenbahn und dem Wirkungsquerschnitt<br />
gebildeten Volumen liegen; bei der Berechnung in Band 1 entsprach der<br />
Wirkungsquerschnitt dem Wert πD 2 bei einem Teilchendurchmesser D). Unter den<br />
gegebenen Voraussetzungen überstreicht jedes Photon pro Sekunde einen Volumenbereich<br />
vσ opt WQ . Bei einer Photonendichte ρ phot im Festkörper ist das von allen Photonen<br />
pro Sekunde und Einheitsvolumen überstrichene Volumen ρ phot v· σ opt WQ . Alle<br />
Zentren, <strong>die</strong> sich in <strong>die</strong>sem von den Photonen überstrichenen Volumen befinden, werden<br />
durch <strong>die</strong> Photonen energetisch angeregt, d.h. <strong>die</strong> Dichte der optischen Anregungsvorgänge<br />
pro Sekunde (optische Generationsrate) ist