Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005 - lamp.tugraz.at

M19: Leitfähigkeits-Rasterkraftmikroskopie (C-AFM)
senen Siliziumoxidschichten handelt es sich dabei
um wenige nm hohe Erhebungen mit ca. 50 nm
Durchmesser, die nach neuesten Erkenntnissen
ebenfalls aus Silizium bestehen. Da diese Modifikationen
reproduzierbar sind, lässt sich durch Anlegen
der Spannungspulse an definierten Probenorten
eine Nanostrukturierung auf der Siliziumoxidschicht
durchführen (s. Abb. 3).
Abschließend sei noch erwähnt, dass neben der
C-AFM-Methode auch die Kelvin Force Microscopy
(KFM, Messung von Kontaktpotenzialdifferenzen)
und die Rasterkapazitätsmikroskopie (Scanning
Capacitance Microscopy – SCM, Bestimmung von
Dotierprofilen) zur elektronischen Charakterisierung
von Halbleiterschichten auf der Nanometerskala
eingesetzt werden.
Methoden:
M28 | M29
Lösungen: —
Christian Teichert, Sascha Kremmer
Montanuniversität Leoben
Institut für Physik
Institute:
Kontakte:
I12
K46
C-AFM | Dünnschichten, dielektrische | Gateoxide | high-k dielectric
Leitfähigkeits-Rasterkraftmikroskopie | Rasterkraftmikroskopie
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Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005