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Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005 - lamp.tugraz.at

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Methoden<br />

M7: Elektronenbeugung an Oberflächen (LEED)<br />

M7: Elektronenbeugung an<br />

Oberflächen (LEED)<br />

Viele mo<strong>der</strong>ne Nanotechnologien beruhen auf<br />

den Eigenschaften von <strong>at</strong>omar geordneten Substr<strong>at</strong>en<br />

und Schichten. Solche dünnen geordneten<br />

Schichten (im Bereich von 1 nm) können<br />

nicht mit Röntgenbeugung, aber mittels Beugung<br />

nie<strong>der</strong>energetischer Elektronen untersucht werden.<br />

Der Grund für die Oberflächenempfindlichkeit<br />

ist die starke Wechselwirkung <strong>der</strong> Elektronen<br />

mit den Festkörper<strong>at</strong>omen. Bei dieser Methode<br />

wird ein Elektronenstrahl mit Energien von etwa<br />

20 eV–200 eV im Vakuum auf die Oberfläche geschossen<br />

und die rückgebeugten (elastisch reflektierten)<br />

Elektronen werden auf einem Leuchtschirm<br />

sichtbar gemacht. Damit nur die elastisch<br />

reflektierten Elektronen auf den Leuchtschirm<br />

gelangen können, werden durch ein geeignetes<br />

Gegenfeld alle unelastisch gestreuten Elektronen<br />

abgeblockt (Abb. 1). Die ohne Energieverlust durch<br />

das Gegenfeldgitter hindurchgetretenen Elektronen<br />

werden dann auf den Leuchtschirm beschleunigt,<br />

wo sie Lichtreflexe erzeugen. Aus dem Beugungsmuster,<br />

welches das reziproke Gitter des reellen<br />

Gitters darstellt, kann man auf die Anordnung <strong>der</strong><br />

Atome o<strong>der</strong> Moleküle auf <strong>der</strong> Oberfläche, bzw. in<br />

<strong>der</strong> dünnen Schicht schließen. Solche Untersuchungen<br />

werden meist unter Ultrahochvakuumbedingungen<br />

durchgeführt (10 -10 mbar), da schon<br />

geringste Adsorption aus dem Restgas die Oberfläche<br />

verän<strong>der</strong>n kann. Die Inform<strong>at</strong>ionen, die man<br />

mit <strong>der</strong> nie<strong>der</strong>energetischen Elektronenbeugung<br />

(Low Energy Electron Diffraction, LEED) erhält, sind<br />

für viele Anwendungen von Bedeutung, z.B. für<br />

das geordnete Aufwachsen von Schichten in <strong>der</strong><br />

Halbleitertechnologie (Si, GaAs-Epitaxie), für die<br />

Umordnung von Oberflächen<strong>at</strong>omen (Silizium-Rekonstruktion),<br />

für die Selbstordnung von großen<br />

organischen Molekülen (Self-assembling) o<strong>der</strong> für<br />

die gezielte Strukturierung von Oberflächen im Nanometermaßstab<br />

(Nanop<strong>at</strong>terning).<br />

Adolf Winkler<br />

Technische Universität Graz<br />

Institut für Festkörperphysik<br />

Abbildung 1: Schema einer LEED-Optik.<br />

16<br />

<strong>Handbuch</strong> <strong>der</strong> <strong>Nanoanalytik</strong> <strong>Steiermark</strong> <strong>2005</strong>

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