Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005 - lamp.tugraz.at

L39: Untersuchung eines Defektes in einem HL-Bauelement
Abbildung 1:
TEM-Bild (a) und Elementverteilungsbilder von Aluminium (b), Stickstoff (c), Sauerstoff (d), Silizium (e) und
Titan (f) eines Querschnittes durch ein Halbleiterbauelement (aus [1]).
Die TiN-Schicht in Abb. 4 (gelb als Mischfarbe
von rot und grün) ist deutlich schmäler als die Verteilung
des Ti (rot). Zusätzlich zu den dargestellten
Elementverteilungsbildern wurden auch solche von
Si und Al aufgenommen und quantitativ hinsichtlich
der chemischen Zusammensetzung ausgewertet.
Dieses Ergebnis ist in einem daraus gewonnenen
Linienprofil zusammengefasst (Abb. 5).
Aus diesem Konzentrationsprofil lässt sich folgende
Schichtfolge (ausgehend von der Al-Schicht)
angeben: Al, Al-Ti-O-Phase, Ti 0.6 N 0.4 , Ti-N-O-Phase,
SiO 2 + Ti, SiO 2 .
Literatur
[1] W. Grogger, F. Hofer, P. Warbichler, O.
Leitner (1999) „Elemental mapping of semiconductor
devices using energy-filtering transmission
electron microscopy“. Inst. Phys. Conf. Ser. 164,
35 – 8.
Abbildung 2:
TEM-Bild eines vergrößerten Ausschnittes
aus Abb. 1c mit eingezeichneten
EELS-Analysepunkten (Z1 – Z4).
Werner Grogger, Ferdinand Hofer
Technische Universität Graz
Forschungsinstitut für Elektronenmikroskopie und
Feinstrukturforschung
und Zentrum für Elektronenmikroskopie Graz
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Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005