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Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005 - lamp.tugraz.at

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L26: Morphologie-Analyse von Halbleiter-Nanostrukturen<br />

Auch beim Wachstum von organischen Halbleiterschichten<br />

auf kristallinen Substr<strong>at</strong>en können<br />

quasiperiodische Kristallitanordnungen beobachtet<br />

werden, die wesentlich durch die Substr<strong>at</strong>geometrie<br />

beeinflusst sind. Dieses ist in Abb. 2 für das Wachstum<br />

von Oligophenylschichten demonstriert, die<br />

ein Modellsystem für funktionalisierte Schichten in<br />

organischen Halbleiterbauelementen darstellen.<br />

Beschießt man Festkörperoberflächen mit nie<strong>der</strong>energetischen<br />

Ionen (E ≈ 200 eV bis 3 keV),<br />

werden Oberflächen<strong>at</strong>ome <strong>der</strong> beschossenen<br />

Probe abgetragen. Dank <strong>der</strong> Rastersondenmikroskopie<br />

wurde nun festgestellt, dass die M<strong>at</strong>erialabtragung<br />

durch Ionenerosion, die ja im Prinzip<br />

eine zerstörende Methode ist, auch zur Ausbildung<br />

quasiperiodischer Nanostrukturanordnungen führen<br />

kann. Bei senkrechtem Ioneneinfall können sich<br />

hexagonal geordnete dreidimensionale Strukturen<br />

bilden, wie es in Abb. 3 für den Beschuss von<br />

Galliumantimonit mit Ar-Ionen demonstriert ist. Es<br />

werden Nanostrukturen mit kreisförmiger Basis und<br />

einem mittleren Radius von nur 20 nm beobachtet,<br />

die Domänen mit hexagonaler Nahordnung bilden.<br />

Die hohe Einheitlichkeit in <strong>der</strong> Strukturgröße wird im<br />

Auftreten von drei „Beugungsordungen“ im Powerspektrum<br />

deutlich. (Da die Domänen alle möglichen<br />

Orientierungen annehmen, werden anst<strong>at</strong>t hexagonal<br />

angeordneter Peaks Ringe beobachtet.) Mittels<br />

Kohlenstoff-Nanoröhrchen als AFM-Sonde konnte<br />

die dreidimensionale Gestalt <strong>der</strong> Nanostrukturen als<br />

nahezu halbkugelförmig bestimmt werden (siehe<br />

Abb. 3b). Damit unterscheiden sie sich deutlich von<br />

den facettierten Wachstumsstrukturen.<br />

Abbildung 3:<br />

Methoden:<br />

(a) 2 µm x 2 µm AFM-Aufnahme einer<br />

mit 500 eV Ar + -Ionen beschossenen<br />

GaSb (001)-Oberfläche mit entsprechen<strong>der</strong><br />

Fouriertransform<strong>at</strong>ion. Die<br />

Sechsecke markieren die unterschiedliche<br />

Orientierung <strong>der</strong> hexagonal<br />

dichtgepackten Domänen. (b) Hochauflösende<br />

AFM-Aufnahme in dreidimensionaler<br />

Darstellung mit einer diskreten<br />

Höhenskala.<br />

M28<br />

Lösungen: —<br />

Institute:<br />

Kontakte:<br />

AFM | Halbleiter, organische | Halbleiternanostrukturen | Heteroepitaxie | Ionenbeschuss<br />

Oberflächenrauigkeit, Powerspektrum <strong>der</strong> | Rasterkraftmikroskopie | Selbstorganis<strong>at</strong>ion<br />

Christian Teichert<br />

Montanuniversität Leoben<br />

Institut für Physik<br />

I12<br />

K46<br />

Index Kontakte Institute Lösungen Methoden<br />

<strong>Handbuch</strong> <strong>der</strong> <strong>Nanoanalytik</strong> <strong>Steiermark</strong> <strong>2005</strong><br />

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