Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005 - lamp.tugraz.at
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L21: HT-XRD – Spannungen und Deform<strong>at</strong>ionen<br />
Abbildung 3:<br />
Analyse<br />
Verän<strong>der</strong>ung <strong>der</strong> Reflexlage des<br />
Al(331)-Reflexes von Probe 2 mit <strong>der</strong><br />
Temper<strong>at</strong>ur.<br />
Bei <strong>der</strong> vorliegenden Untersuchung wurden<br />
sehr dünne Aluminiumschichten mittels Magnetron-Sputter-Abscheidung<br />
auf Silizium(100)-Substr<strong>at</strong>en<br />
erzeugt. Dabei wurden 4 Schichten bei unterschiedlichen<br />
Substr<strong>at</strong>-Temper<strong>at</strong>uren abgeschieden<br />
(T D = 60, 150, 250, 300°C), um den Einfluss <strong>der</strong><br />
Herstellungsbedingungen auf die thermisch induzierten<br />
Spannungen zu untersuchen.<br />
Die Filme wurden Temper<strong>at</strong>urzyklen von 23°C<br />
bis 450°C ausgesetzt, wobei zur Spannungsbestimmung<br />
alle 50°C ausgewählte Röntgenreflexe<br />
<strong>der</strong> Aluminiumschicht gemessen gemessen wurden.<br />
Aus dem Diffraktionswinkel 2Θ <strong>der</strong> Reflexe<br />
(entspricht Intensitätsmaxima <strong>der</strong> Messprofile in<br />
Abb. 3) rel<strong>at</strong>iv zur Richtung des einfallenden Strahls<br />
können die Netzebenenabstände d(hkl) und weiters<br />
die Gitterkonstante a <strong>der</strong> (kristallinen) Al-Schicht<br />
errechnet werden.<br />
Abbildung 4:<br />
Gitterparameter a als Funktion<br />
von sin 2 ψ.<br />
Die Verän<strong>der</strong>ung <strong>der</strong> Gitterkonstanten a mit<br />
dem Verkippungswinkel ψ des Strahls rel<strong>at</strong>iv zur<br />
Probenoberfläche gibt qualit<strong>at</strong>iven Aufschluss<br />
über Deform<strong>at</strong>ionen in <strong>der</strong> Al-Schicht. Ein linearer<br />
Zusammenhang zwischen <strong>der</strong> Gitterkonstanten<br />
a und sin 2 ψ weist auf eine isotrope Kristallstruktur<br />
<strong>der</strong> Al-Schicht (ohne Vorzugsorientierung) hin<br />
(s. Abb. 4). Aus <strong>der</strong> Steigung <strong>der</strong> Geraden (steigend<br />
o<strong>der</strong> fallend) erkennt man das Vorherrschen einer<br />
Zug- o<strong>der</strong> Druckspannung, und über die Steigung<br />
kann <strong>der</strong> Spannungszustand auch quantifiziert<br />
werden [1].<br />
Aus den Netzebenenabständen d(hkl) werden<br />
anschließend die Spannungen im Al-Film als Funktion<br />
<strong>der</strong> Temper<strong>at</strong>ur berechnet. Abb. 5 zeigt die<br />
Abhängigkeit <strong>der</strong> mechanischen Spannung von<br />
<strong>der</strong> Temper<strong>at</strong>ur für die 4 unterschiedlichen Metallfilme.<br />
Wie aus Abb. 5 ersichtlich ergeben sich<br />
beim Aufheizen und Abkühlen unterschiedliche<br />
Spannungsverläufe. Man erkennt deutlich den<br />
Unterschied zwischen den beiden Filmen, die bei<br />
niedriger Substr<strong>at</strong>-Temper<strong>at</strong>ur T D erzeugt wurden<br />
und jenen Filmen mit höherer Abscheidungstem-<br />
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<strong>Handbuch</strong> <strong>der</strong> <strong>Nanoanalytik</strong> <strong>Steiermark</strong> <strong>2005</strong><br />
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