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Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005 - lamp.tugraz.at

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L21: HT-XRD – Spannungen und Deform<strong>at</strong>ionen<br />

Abbildung 3:<br />

Analyse<br />

Verän<strong>der</strong>ung <strong>der</strong> Reflexlage des<br />

Al(331)-Reflexes von Probe 2 mit <strong>der</strong><br />

Temper<strong>at</strong>ur.<br />

Bei <strong>der</strong> vorliegenden Untersuchung wurden<br />

sehr dünne Aluminiumschichten mittels Magnetron-Sputter-Abscheidung<br />

auf Silizium(100)-Substr<strong>at</strong>en<br />

erzeugt. Dabei wurden 4 Schichten bei unterschiedlichen<br />

Substr<strong>at</strong>-Temper<strong>at</strong>uren abgeschieden<br />

(T D = 60, 150, 250, 300°C), um den Einfluss <strong>der</strong><br />

Herstellungsbedingungen auf die thermisch induzierten<br />

Spannungen zu untersuchen.<br />

Die Filme wurden Temper<strong>at</strong>urzyklen von 23°C<br />

bis 450°C ausgesetzt, wobei zur Spannungsbestimmung<br />

alle 50°C ausgewählte Röntgenreflexe<br />

<strong>der</strong> Aluminiumschicht gemessen gemessen wurden.<br />

Aus dem Diffraktionswinkel 2Θ <strong>der</strong> Reflexe<br />

(entspricht Intensitätsmaxima <strong>der</strong> Messprofile in<br />

Abb. 3) rel<strong>at</strong>iv zur Richtung des einfallenden Strahls<br />

können die Netzebenenabstände d(hkl) und weiters<br />

die Gitterkonstante a <strong>der</strong> (kristallinen) Al-Schicht<br />

errechnet werden.<br />

Abbildung 4:<br />

Gitterparameter a als Funktion<br />

von sin 2 ψ.<br />

Die Verän<strong>der</strong>ung <strong>der</strong> Gitterkonstanten a mit<br />

dem Verkippungswinkel ψ des Strahls rel<strong>at</strong>iv zur<br />

Probenoberfläche gibt qualit<strong>at</strong>iven Aufschluss<br />

über Deform<strong>at</strong>ionen in <strong>der</strong> Al-Schicht. Ein linearer<br />

Zusammenhang zwischen <strong>der</strong> Gitterkonstanten<br />

a und sin 2 ψ weist auf eine isotrope Kristallstruktur<br />

<strong>der</strong> Al-Schicht (ohne Vorzugsorientierung) hin<br />

(s. Abb. 4). Aus <strong>der</strong> Steigung <strong>der</strong> Geraden (steigend<br />

o<strong>der</strong> fallend) erkennt man das Vorherrschen einer<br />

Zug- o<strong>der</strong> Druckspannung, und über die Steigung<br />

kann <strong>der</strong> Spannungszustand auch quantifiziert<br />

werden [1].<br />

Aus den Netzebenenabständen d(hkl) werden<br />

anschließend die Spannungen im Al-Film als Funktion<br />

<strong>der</strong> Temper<strong>at</strong>ur berechnet. Abb. 5 zeigt die<br />

Abhängigkeit <strong>der</strong> mechanischen Spannung von<br />

<strong>der</strong> Temper<strong>at</strong>ur für die 4 unterschiedlichen Metallfilme.<br />

Wie aus Abb. 5 ersichtlich ergeben sich<br />

beim Aufheizen und Abkühlen unterschiedliche<br />

Spannungsverläufe. Man erkennt deutlich den<br />

Unterschied zwischen den beiden Filmen, die bei<br />

niedriger Substr<strong>at</strong>-Temper<strong>at</strong>ur T D erzeugt wurden<br />

und jenen Filmen mit höherer Abscheidungstem-<br />

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<strong>Handbuch</strong> <strong>der</strong> <strong>Nanoanalytik</strong> <strong>Steiermark</strong> <strong>2005</strong><br />

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