Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005 - lamp.tugraz.at
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Lösungen<br />
L10: Device Modific<strong>at</strong>ion<br />
mittels Focused Ion Beam<br />
(FIB)<br />
L10: Device Modific<strong>at</strong>ion mittels Focused Ion Beam (FIB)<br />
Eine „Focused Ion Beam (FIB)“-Anlage, ausgest<strong>at</strong>tet<br />
mit den entsprechenden Zus<strong>at</strong>zsystemen<br />
wie<br />
Insul<strong>at</strong>or Enhanced Etch (IEE) Gas Injection<br />
System (GIS),<br />
Enhanced Etch GIS (für elektrische Leiter),<br />
Pt-deposition GIS (für die Abscheidung von<br />
elektrisch leitenden Verbindungen) bzw.<br />
Tetraethylorthosilic<strong>at</strong>e (TEOS) GIS (für die<br />
Abscheidung von isolierenden Schichten),<br />
eignet sich neben den Anwendungsbereichen<br />
TEM-Lamellen-Zielpräpar<strong>at</strong>ion und Nanostrukturierung<br />
hervorragend für die sogenannte Device<br />
Modific<strong>at</strong>ion.<br />
Unter Device Modific<strong>at</strong>ion, oft auch Chip Modific<strong>at</strong>ion<br />
o<strong>der</strong> Nano Surgery genannt, versteht man<br />
nachträgliche Verän<strong>der</strong>ungen im Design und in<br />
<strong>der</strong> Funktionalität eines bereits produzierten Halbleiter-Bauelements.<br />
Dies umfasst eine Vielzahl von<br />
Möglichkeiten, die je nach Bedarf und dem damit<br />
verbundenen Kostenaufwand durchgeführt werden<br />
können.<br />
Bedenkt man, dass ein Mikrochip im Grunde<br />
„nur“ aus vielen elektronischen Schaltkreisen,<br />
<strong>der</strong>en Größe im Mikrometerbereich liegt, zusammengesetzt<br />
ist, so ist leicht nachvollziehbar, dass<br />
durch Än<strong>der</strong>ungen in den einzelnen logischen<br />
Schaltkreisen o<strong>der</strong> in <strong>der</strong> Ansteuerung größerer<br />
Schaltkomplexe die Funktionalität eines gesamten<br />
Bauelementes auf spezielle Anfor<strong>der</strong>ungen abgestimmt<br />
werden kann.<br />
Die dafür notwendigen Modifik<strong>at</strong>ionen sind mit<br />
<strong>der</strong> seit mehr als einem Jahrzehnt verfügbaren<br />
Technologie des fokussierten Ionenstrahls (FIB),<br />
die das positionierte Schneiden, Abtragen und Abscheiden<br />
von M<strong>at</strong>erial bis hinab zu einer l<strong>at</strong>eralen<br />
Auflösung von ~20 nm erlaubt, durchführbar.<br />
Index Kontakte Institute Lösungen Methoden<br />
Abbildung 1:<br />
Kreuzverbindung zweier Leiterbahnen<br />
mittels Pt-Abscheidung.<br />
<strong>Handbuch</strong> <strong>der</strong> <strong>Nanoanalytik</strong> <strong>Steiermark</strong> <strong>2005</strong><br />
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